W986416CH
1m x 16 位 x 4 banks sdram
修订1.2 发行 释放 日期: 六月, 1999
-6-
交流 特性 和 运行 情况
(vcc=3.3v
±
0.3v, ta=0
°
至 70
°
c 注释:5, 6, 7, 8)
-6 -7 -75(pc133) -8h(pc100) 单位
标识 参数
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
RC
ref/起作用的 至 ref/起作用的 command 时期 60 63 65 68
t
RAS
起作用的 至precharge command 时期 42 10000 42 10000 45 10000 48 10000 Ns
t
RCD
起作用的 至 读/写 command 延迟 时间 18 20 20 20
t
CCD
读/写(一个) 至 读/写(b)command 1 1 1 1 循环
t
RP
precharge 至 起作用的 command 时期 18 20 20 20
t
RRD
起作用的(一个) 至 起作用的(b) command 时期 12 14 15 20
t
WR
写 恢复 时间 CL*=2 10 10 10 10
CL*=3 6 7 7.5 8
t
CK
clk 循环 时间 CL*=2 10 1000 10 1000 10 1000 10 1000
CL*=3 6 1000 7 1000 7.5 1000 8 1000
t
CH
clk 高 水平的 宽度 2.5 2.5 2.5 3
t
CL
clk 低 水平的 宽度 2.5 2.5 2.5 3
t
交流
进入 时间 从 clk CL*=2 6 6 6 6
CL*=3 5 5.4 5.4 6 ns
t
OH
输出 数据 支撑 时间 2 2.5 2.7 3
t
HZ
输出 数据 高 阻抗 时间 2 6 2.5 7 2.7 7.5 3 8
t
LZ
输出 数据 低 阻抗 时间 0 0 0 0
t
SB
电源 向下 模式 entry 时间 0 6 0 7 0 7.5 0 8
t
T
转变 时间 的 clk (上升 和 下降) 0.3 10 0.3 10 0.3 10 0.5 10
t
DS
数据-在 设置-向上 时间 1.5 1.5 1.5 2
t
DH
数据-在 支撑 时间 0.8 0.8 0.8 1
t
作
地址 设置-向上 时间 1.5 1.5 1.5 2
t
AH
地址 支撑 时间 0.8 0.8 0.8 1
t
CKS
cke 设置-向上 时间 1.5 1.5 1.5 2
t
CKH
cke 支撑 时间 0.8 0.8 0.8 1
t
CMS
command 设置-向上 时间 1.5 1.5 1.5 2
t
CMH
command 支撑 时间 0.8 0.8 0.8 1
t
REF
refresh 时间 64 64 64 64 ms
t
RSC
模式 寄存器 设置 循环 时间 12 14 15 16 ns
* cl=cas latency
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