W981216BH
2M
×
4 banks
×
16 位 sdram
发行 释放 日期: october2000
-1-修订 a1
一般 描述
w981216bh 是 一个 高-速 同步的 动态 随机的 进入 记忆 (sdram), 有组织的 作
2m words
×
4 banks
×
16 位. 使用 pipelined architecture 和 0.175
µ
m 处理 技术,
w981216bh delivers 一个 数据 带宽 的 向上 至 143m words每 第二 (-7). 至 全部地 遵守 和 这
个人的 计算机 工业的 标准, w981216bh 是 sorted 在 三 速 grades:-7,-75 和-
8h. 这-7 是 一致的 至 这 143 mhz/cl3 或者 pc133/cl2 规格, 这-75 是 一致的 至 这
pc133/cl3 specification, 这-8h 是 一致的 至 这 pc100/cl2 规格
accesses 至 这 sdram 是 burst 朝向. consecutive 记忆 location 在 一个 页 能 是
accessed 在 一个 burst 长度 的 1, 2, 4, 8 或者 全部 页 当 一个 bank 和 行 是 选择 用 一个 起作用的
command.column 地址 是 automatically 发生 用 这 sdram 内部的 计数器 在 burst
运作. 随机的 column 读 是 也 可能 用 供应 它的 地址 在 各自 时钟 循环. 这
多样的 bank nature 使能 interleaving among 内部的 banks 至 hide 这precharging 时间.
用 having 一个 可编程序的 模式 寄存器, 这 系统 能 改变 burst 长度, latency 循环,
interleave 或者 sequential burst 至 maximize 它的 效能. w981216bh 是 完美的 为 主要的 记忆 在
高 效能 产品.
特性
•
3.3v
±
0.3v 电源 供应
•
向上 至 143 mhz 时钟 频率
•
2,097,152 words
×
4 banks
×
16 位 organization
•
自动 refresh 和 自 refresh
•
cas latency: 2 和 3
•
burst 长度: 1, 2, 4, 8, 和 全部 页
•
burst 读, 单独的 写 模式
•
字节 数据 控制 by dqm
•
电源-向下 模式
•
自动-precharge 和 控制 precharge
•
4k refresh 循环 / 64 ms
•
接口: lvttl
•
packaged 在 tsop ii 54 管脚, 400 mil-0.80
关键 参数
sym.
描述
最小值
/最大值.
-7
(pc133, cl2)
-75
(pc133, cl3)
-8H
(pc100)
tCK 时钟循环 时间 最小值 7 ns 7.5 ns 8 ns
t交流 进入 时间 从 clk 最大值 5.4 ns 5.4 ns 6 ns
tRP precharge 至 起作用的 command 最小值 15 ns 20 ns 20 ns
tRCD 起作用的 至 读/写 command 最小值 15 ns 20 ns 20 ns
ICC1 运作 电流 (单独的 bank) 最大值 80 毫安 75 毫安 70 毫安
I
CC4
burst 运作 电流 最大值 100 毫安 95 毫安 90 毫安
ICC6 自-refresh 电流 最大值 2 毫安 2 毫安 2 毫安
: 点此下载
