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M28C64
表格 10b. 写 模式 交流 特性 为 M28C64 (5v 范围)
(t
一个
= –40 至 125
°
c; V
CC
= 4.5 至 5.5 v)
标识 alt. 参数 测试 Condition
M28C64
单位
最小值 最大值
t
AVWL
t
作
地址 有效的 至 Write 使能 低
E=V
IL
,g=v
IH
0ns
t
AVEL
t
作
地址 有效的 至 碎片 使能 低
G=V
IH
,w=v
IL
0ns
t
ELWL
t
CES
碎片 使能 低 to 写 使能 低
G=V
IH
0ns
t
GHWL
t
OES
输出 使能 高 至 Write 使能 低
E=V
IL
0ns
t
GHEL
t
OES
输出 使能 高 至 碎片 使能 低
W=V
IL
0ns
t
WLEL
t
WES
写 使能 低 至 碎片 使能 低 G = V
IH
0ns
t
WLAX
t
AH
写 使能 低 至 地址 转变 75 ns
t
ELAX
t
AH
碎片 使能 低 to 地址 转变 75 ns
t
WLDV
t
DV
写 使能 低 至 输入 有效的
E=V
IL
,g=v
IH
1
µ
s
t
ELDV
t
DV
碎片 使能 低 to 输入 有效的
G=V
IH
,w=v
IL
1
µ
s
t
ELEH
t
WP
碎片 使能 低 to 碎片 使能 高 50 ns
t
WHEH
t
CEH
写 使能 高 至 碎片 使能 高 0 ns
t
WHGL
t
OEH
写 使能 高 至 Output 使能 低 0 ns
t
EHGL
t
OEH
碎片 使能 高 to 输出 使能 低 0 ns
t
EHWH
t
WEH
碎片 使能 高 to Write 使能 高 0 ns
t
WHDX
t
DH
写 使能 高 至 输入 转变 0 ns
t
EHDX
t
DH
碎片 使能 高 to 输入 转变 0 ns
t
WHWL
t
WPH
写 使能 高 至 Write 使能 低 50 1000 ns
t
WLWH
t
WP
写 使能 低 至 Write 使能 高 50 ns
t
WLQ5H
t
BLC
时间-输出 之后 last 字节 写 (m28c64) 100
µ
s
时间-输出 之后 last 字节 写 (m28c64-一个) 20
µ
s
t
Q5HQ5X
t
WC
写 循环 Time (m28c64) 3 ms
写 循环 Time (m28c64-一个) 1 ms
t
WHRL
t
DB
写 使能 高 至 准备好/busy 低 便条 1 150 ns
t
EHRL
t
DB
碎片 使能 高 to 准备好/busy 低 便条 1 150 ns
t
DVWH
t
DS
数据 有效的 在之前 Write 使能 高 50 ns
t
DVEH
t
DS
数据 有效的 在之前 碎片 使能 高 50 ns
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