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资料编号:712834
 
资料名称:DS1330WP-150-IND
 
文件大小: 107.99K
   
说明
 
介绍:
3.3V 256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
DS1330W
022598 7/11
power–down/power–up 定时
(t
一个
: 看 便条 10)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
V
CC
失败 发现 至 ce和 我们
Inactive
t
PD
1.5
µ
s 11
V
CC
回转 从 v
TP
至 0v t
F
150
µ
s
V
CC
失败 发现 至 rst起作用的 t
RPD
15
µ
s
14
V
CC
回转 从 0v 至 v
TP
t
R
150
µ
s
V
CC
有效的 至 ce和 我们
Inactive
t
PU
2 ms
V
CC
有效的 至 终止 的 写
保护
t
REC
125 ms
V
CC
有效的 至 rstInactive t
RPU
150 200 350 ms 14
V
CC
有效的 至 bw有效的 t
BPU
1 s 14
电池 警告 定时
(t
一个
: 看 便条 10)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
电池 测试 循环 t
BTC
24 hr
电池 测试 脉冲波 宽度 t
BTPW
1 s
电池 测试 至 bw起作用的 t
BW
1 s
(t
一个
= 25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
预期的 数据 保持 时间 t
DR
10 9
警告:
下面 非 circumstance 是 负的 undershoots, 的 任何 振幅, 允许 当 设备 是 在 电池 backup 模式.
注释:
1. 我们
= v
IH
或者 v
IL
. 如果 oe= v
IH
在 写 循环, 这 输出 缓存区 仍然是 在 一个 高 阻抗 状态.
3. t
WP
是 指定 作 这 logical 和 的 ce和 我们. t
WP
是 量过的 从 这 latter 的 ce或者 我们going 低 至 这
早期 的 ce或者 我们going 高.
4. t
DS
是 量过的 从 这 早期 的 ce或者 我们going 高.
5. 这些 参数 是 抽样 和 一个 5 pf 加载 和 是 不 100% 测试.
6. 如果 这 ce
低 转变 occurs 同时发生地 和 或者 latter 比 这 我们低 转变, 这 输出 缓存区 仍然是
在 一个 高 阻抗 状态 在 这个 时期.
7. 如果 这 ce
高 转变 occurs 较早的 至 或者 同时发生地 和 这 我们高 转变, 这 输出 缓存区 仍然是
在 高 阻抗 状态 在 这个 时期.
8. 如果 我们
是 低 或者 这 我们低 转变 occurs 较早的 至 或者 同时发生地 和 这 ce低 转变, 这 输出 缓存区
仍然是 在 一个 高 阻抗 状态 在 这个 时期.
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