白 微电子学 • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com
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sram modules
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ws128k32v-xxx
电容
(t
一个
= +25
°
c)
参数
标识
情况 最大值 单位
oe 电容 C
OE
V
在
= 0 v, f = 1.0 mhz
50 pF
我们
1-4
电容 C
我们
V
在
= 0 v, f = 1.0 mhz
pF
hip (pga) 20
cqfp g2t/g1u 20
CS
1-4
电容 C
CS
V
在
= 0 v, f = 1.0 mhz
20 pF
数据 i/o 电容 C
i/o
V
i/o
= 0 v, f = 1.0 mhz
20 pF
地址 输入 电容 C
AD
V
在
= 0 v, f = 1.0 mhz
50 pF
这个 参数 是 有保证的 用 设计 但是 不 测试.
真实 表格绝对 最大 比率
参数 标识 最小值 最大值 单位
运行 温度 T
一个
-55 +125
°
C
存储 温度 T
STG
-65 +150
°
C
信号 电压 相关的 至 地 V
G
-0.5 4.6 V
接合面 温度 T
J
150
°
C
供应 电压 V
CC
-0.5 5.5 V
CS OE 我们 模式 数据 i/o 电源
H X X 备用物品 高 z 备用物品
L L H 读 数据 输出 起作用的
L X L 写 数据 在 起作用的
L H H 输出 使不能运转 高 z 起作用的
推荐 运行 情况
参数 标识 最小值 最大值 单位
供应 电压 V
CC
3.0 3.6 V
输入 高 电压 V
IH
2.2 V
CC
+ 0.3 V
输入 低 电压 V
IL
-0.3 +0.8 V
直流 特性
(v
CC
= 3.3v
±
0.3v, v
SS
= 0v, t
一个
= -55
°
c 至 +125
°
c)
参数 Sym 情况 单位
最小值 最大值
输入 泄漏 电流 I
LI
V
在
= 地 至 v
CC
10
µ
一个
输出 泄漏 电流 I
LO
cs = v
IH
, oe = v
IH
, v
输出
= 地 至 v
CC
10
µ
一个
运行 供应 电流 (x 32 模式) I
CC
x 32 cs = v
IL
, oe = v
IH
, f = 5mhz 500 毫安
备用物品 电流 I
SB
cs = v
IH
, oe = v
IH
, f = 5mhz 32 毫安
输出 低 电压 V
OL
I
OL
= 8ma 0.4 V
输出 高 电压 V
OH
I
OH
= -4.0ma 2.4 V