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资料编号:714842
 
资料名称:WS57C49C-45T
 
文件大小: 52.46K
   
说明
 
介绍:
HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
程序编制 信息
直流 特性
(t
一个
= 25 ± 5°c, v
CC
= 6.25 v ± 0.25 v, v
PP
= 12.75 ± 0.25 v)
SYMBOLS 参数 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流
–10 10 µA
(v
= v
CC
或者 地)
I
PP
V
PP
供应 电流 在
60 毫安
程序编制 脉冲波
I
CC
V
CC
供应 电流 35 毫安
V
OL
输出 低 电压 在 核实
0.45 V
(i
OL
= 16 毫安)
V
OH
输出 高 电压 在 核实
2.4 V
(i
OH
= –4 毫安)
WS57C49C
2-44
SYMBOLS 参数 最小值 典型值 最大值 单位
t
地址 建制 时间 2 µs
t
DF
碎片 使不能运转 建制 时间 30 ns
t
DS
数据 建制 时间 2 µs
t
PW
程序 脉冲波 宽度 100 200 µs
t
DH
数据 支撑 时间 2 µs
t
CS
碎片 选择 延迟 30 ns
t
RF
V
PP
上升 和 下降 时间 1 µs
注释:
7. V
PP
必须 不 是 更好 比 13 伏特 包含 越过.
交流 特性
(t
一个
= 25 ± 5°c, v
CC
= 6.25 v ± 0.25 v, v
PP
= 12.75 ± 0.25 v)
程序编制 波形
地址 稳固的
地址
V
IH
V
IL
V
PP
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
cs1/v
PP
数据
t
t
DF
t
DS
t
PW
t
DH
t
CS
t
RF
t
RF
数据 outdata 在
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