BAT54SWT1G_集成电路资料查询网

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www.fairchildsemi.com
april 2005
bat54swt1g/bat54cwt1g  肖特基 二极管
bat54swt1g/bat54cwt1g rev. 一个
bat54swt1g/bat54cwt1g
肖特基 二极管
绝对 最大 比率 *
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
* 这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
热的 特性
fr-4 板 (3.0
×
4.5
×
0.062” 用 1.0
×
0.5” 地带 焊盘)
电的 特性
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
RRM
最大 repetitive 反转 电压 30 V
I
f(av)
平均 调整的 向前 电流 200 毫安
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
脉冲波 宽度 = 1.0 第二
600 毫安
T
STG
存储 温度 范围 -65 至 +125
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -65 至 +125
°
C
标识 参数 值 单位
P
D
电源 消耗 232 mW
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 430
°
c/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
R
损坏 电压 I
R
= 10
µ
A30V
V
F
向前 电压 I
F
= 0.1ma
I
F
= 1ma
I
F
= 10ma
I
F
= 30ma
I
F
= 100ma
240
320
400
500
0.8
mV
mV
mV
mV
V
I
R
反转 泄漏 V
R
= 25v 2
µ
一个
C
T
总的 电容 V
R
= 1v, f = 1.0mhz 10 pF
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= i
R
= 10ma, i
RR
= 1.0ma,
R
L
= 100
Ω
5.0 ns
12
3
bat54swt1g = yb
bat54cwt1g = yc
标记
连接 图解
3
1
2
3
1
2
BAT54CWT1GBAT54SWT1G
sot-323

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©2005 仙童半导体公司 1 www.fairchildsemi.com april 2005 bat54swt1g/bat54cwt1g 肖特基二极管 bat54swt1g/bat54cwt1g rev. 一个 bat54swt1g/bat54cwt1g 肖特基二极管绝对最大比率 * T 一个 = 25°c 除非否则指出 * 这些比率是限制的值在之上这个这 serviceability 的任何半导体设备将是 impaired. 热的特性 fr-4 板 (3.0 × 4.5 × 0.062” 用 1.0 × 0.5” 地带焊盘) 电的特性 T C = 25°c 除非否则指出标识参数值单位 V RRM 最大 repetitive 反转电压 30 V I f(av) 平均调整的向前电流 200 毫安 I FSM 非-repetitive 顶峰向前 surge 电流脉冲波宽度 = 1.0 第二 600 毫安 T STG 存储温度范围 -65 至 +125 ° C T J 运行接合面温度 -65 至 +125 ° C 标识参数值单位 P D 电源消耗 232 mW R θ JA 热的阻抗, 接合面至包围的 430 ° c/w 标识参数情况最小值最大值单位 V R 损坏电压 I R = 10 µ A30V V F 向前电压 I F = 0.1ma I F = 1ma I F = 10ma I F = 30ma I F = 100ma 240 320 400 500 0.8 mV mV mV mV V I R 反转泄漏 V R = 25v 2 µ 一个 C T 总的电容 V R = 1v, f = 1.0mhz 10 pF t rr 反转恢复时间 I F = i R = 10ma, i RR = 1.0ma, R L = 100 Ω 5.0 ns 12 3 bat54swt1g = yb bat54cwt1g = yc 标记连接图解 3 1 2 3 1 2 BAT54CWT1GBAT54SWT1G sot-323

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