x02 序列
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图. 2-2:
平均 和 d.c. 在-状态 电流
相比 包围的 温度 (设备 挂载 在
fr4 和 推荐 垫子 布局) (sot-223/
至-92).
图. 3:
相关的 变化 的 热的 阻抗
接合面 至 包围的 相比 脉冲波 持续时间
(sot-223/至-92).
图. 4:
相关的 变化 的 门 触发 电流,
支持 电流 和 闭锁 电流 相比
接合面 温度 (典型 值).
图. 5:
相关的 变化 的 支持 电流
相比 门-cathode 阻抗 (典型 值).
图. 6:
相关的 变化 的 dv/dt 免除
相比 门-cathode 阻抗 (典型 值).
图. 7:
相关的 变化 的 dv/dt 免除
相比 门-cathode 电容 (典型 值).
sot-223
sot-223
至-92
至-92
它(av)(一个)
02550
75
100 125
0.8
1.4
1.2
1.0
0.6
0.4
0.2
0.0
tamb(°c)
1e-2 1e-1 1E+0 1E+1 1E+2 5E+2
0.01
0.10
1.00
k = [zth(j-一个)/rth(j-一个)]
tp(s)
sot-223
至-92
Ω
igt, ih, il[tj]/igt, ih, il[tj] = 25°c]
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tj(°c)
1e-2 1e-1 1E+0 1E+1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
ih[rgk] / ih[rgk = 1 k
Ω
]
tj = 25°c
rgk(k
Ω
)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0.1
1.0
10.0
tj = 125°c
vd = 0.67xvdrm
dv/dt[rgk]/dv/dt
[
Rgk=1k
Ω
]
rgk(k
Ω
)
dv/dt[cgk] / dv/dt[rgk = 1k ]
Ω
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
24
6810
12 14
16 18 20
22
cgk(nf)
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