ICL7665
微处理器 电压 监控 和
双 在/欠压 发现
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结合体 低-电池 警告 和
低-电池 disconnect
nickel cadmium (nicd) batteries 是 极好的 recharge-
能 电源 来源 为 可携带的 设备, 但是 小心
必须 是 带去 至 确保 那 nicd batteries 是 不
损坏 用 overdischarge. specifically, 一个 nicd 电池
应当 不 是 释放 至 这 要点 在哪里 这 极性
的 这 最低-capacity cell 是 使反转, 和 那 cell 是
反转 charged 用 这 高等级的-capacity cells. 这个 反转
charging 将 dramatically 减少 这 生命 的 一个 nicd 电池.
这 图示 8 电路 两个都 阻止 反转 charging 和
给 一个 低-电池 警告. 一个 典型 低-电池 警告
电压 是 1v 每 cell. 自从 一个 nicd “9v” 电池 是 ordi-
narily 制造 向上 的 六 cells 和 一个 名义上的 电压 的 7.2v,
一个 低-电池 警告 的 6v 是 适合的, 和 一个 小
hysteresis 的 100mv. 至 阻止 overdischarge 的 一个 bat-
tery, 这 加载 应当 是 disconnected 当 这 电池
电压 是 1v x (n – 1), 在哪里 n = 号码 的 cells. 在 这个
情况, 这 低-电池 加载 disconnect 应当 出现 在
5v. 自从 这 电池 电压 将 上升 当 这 加载 是
disconnected, 800mv 的 hysteresis 是 使用 至 阻止
重复的 开关 cycling.
电源-失败 警告 和
电源-向上/电源-向下 重置
图示 9 illustrates 一个 电源-失败 警告 电路 那
monitors raw 直流 输入 电压 至 这 7805 三-termi-
nal 5v 调整器. 这 电源-失败 警告 信号 变得
高 当 这 无秩序的 直流 输入 falls 在下 8.0v.
当 这 raw 直流 电源 源 是 disconnected 或者 这
交流 电源 失败, 这 电压 在 这 输入 的 这 7805
decays 在 一个 比率 的 i
输出
/ c (在 这个 情况, 200mv/ms).
自从 这 7805 将 continue 至 提供 一个 5v 输出 在
1a 直到 v
在
是 较少 比 7.3v, 这个 电路 将 给 在
least 3.5ms 的 警告 在之前 这 5v 输出 begins 至
漏出. 如果 额外的 警告 时间 是 需要, 也 这
trip 电压 或者 过滤 电容 应当 是 增加,
或者 这 输出 电流 应当 是 decreased.
这 icl7665 out2 是 设置 至 trip 当 这 5v 输出 有
decayed 至 3.9v. 这个 输出 能 是 使用 至 阻止
这 微处理器 从 writing spurious 数据 至 一个
cmos 电池-backup 记忆, 或者 能 是 使用 至 acti-
vate 一个 电池-backup 系统.
交流 电源-失败 和 brownout 探测器
用 monitoring 这 secondary 的 这 变压器, 这 cir-
cuit 在 图示 10 执行 这 一样 电源-失败 warn-
ing 函数 作 图示 9. 和 一个 正常的 110v 交流 输入
至 这 变压器, out1 将 释放 c1 每
16.7ms 当 这 顶峰 变压器 secondary 电压
超过 10.2v. 当 这 110v 交流 电源-线条 电压
是 也 interrupted 或者 减少 所以 那 这 顶峰 电压
是 较少 比 10.2v, c1 将 是 charged 通过 r1.
out2, 这 电源-失败 警告 输出, 变得 高 当
这 电压 在 c1 reaches 1.3v. 这 时间 常量 r1 x
c1 确定 这 延迟 时间 在之前 这 电源-失败 警告
信号 是 使活动, 在 这个 情况 42ms 或者 2
1
⁄
2
线条 循环.
optional 组件 r2, r3 和 q1 增加 hysteresis 用
增加 这 顶峰 secondary 电压 必需的 至 dis-
承担 c1 once 这 电源-失败 警告 是 起作用的.
电池 switchover 电路
这 电路 在 图示 11 执行 二 功能: 转变-
ing 这 电源 供应 的 一个 cmos 记忆 至 一个 backup
电池 当 这 线条-powered 供应 是 转变 止, 和
lighting 一个 低-电池-警告 led 当 这 backup
电池 是 nearly 释放. 这 pnp 晶体管, q1,
connects 这 线条-powered +5v 至 这 cmos 记忆
whenever 这 线条-powered +5v 供应 电压 是
更好 比 3.5v. 这 电压 漏出 横过 q1 将 仅有的
是 一个 couple 的 hundred millivolts, 自从 它 将 是 satu-
评估. whenever 这 输入 电压 falls 在下 3.5v,
out1 变得 高, 转变 止 q1, 和 connects 这 3v
lithium cell 至 这 cmos 记忆.
这 第二 电压 探测器 的 这 icl7665 monitors 这
电压 的 这 lithium cell. 如果 这 电池 电压 falls 在下
2.6v, out2 变得 低 和 这 低-电池-警告 led
转变 在 (假设 那 这 +5v 是 呈现, 的 航线).
另一 可能 使用 为 这 第二 部分 的 这
icl7665 是 这 发现 的 这 输入 电压 下落
在下 4.5v. 这个 信号 可以 然后 是 使用 至 阻止
这 微处理器 从 writing spurious 数据 至 这
cmos 记忆 当 它的 电源-供应 电压 是 输出-
一侧 它的 有保证的 运行 范围.
简单的 高/低 温度 alarm
这 电路 在 图示 12 是 一个 简单的 高/低 tempera-
ture alarm, 这个 使用 一个 低-费用 npn 晶体管 作 这
传感器 和 一个 icl7665 作 这 高/低 探测器. 这
npn 晶体管 和 分压器 r1 表格 一个 vbe multi-
plier 谁的 输出 电压 是 决定 用 这 vbe 的
这 晶体管 和 这 位置 的 r1’s wiper arm. 这
电压 在 这 顶 的 r1 将 有 一个 温度 coeffi-
cient 的 大概 -5mv/°c. r1 是 设置 所以 那 这
电压 在 v
SET2
相等 这 v
SET2
trip 电压 当 这
温度 的 这 npn 晶体管 reaches 这 水平的
选择 为 这 高-温度 alarm. r2 能 是
调整 所以 那 这 电压 在 v
SET1
是 1.3v 当 这
npn 晶体管’s 温度 reaches 这 低-tempera-
ture 限制.
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