Si9945AEY
vishay siliconix
文档 号码: 70758
s-57253—rev. c, 24-二月-98
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2-1
双 n-频道 60-v (d-s), 175
c 场效应晶体管
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
60
0.080 @ v
GS
= 10 v
3.7
60
0.100 @ v
GS
= 4.5 v
3.4
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
n-频道 场效应晶体管
D
1
D
1
G
1
S
1
n-频道 场效应晶体管
D
2
D
2
G
2
S
2
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
60
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=175
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
3.7
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
3.2
一个
搏动 流 电流 I
DM
25
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
2
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.4
wmaximum 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.7
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
C
参数 标识 Typ 最大值 单位
接合面-至-ambienta
t
10 秒
R
thJA
62.5
c/wjunction-至-ambienta
稳步的 状态
R
thJA
93
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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