____________相似物 仔细考虑
涉及
计算数量 7a-7c 显示 一些 涉及 连接.
vref+ 和 vref- 输入 设置 这 全部-规模 和 零-
输入 电压 的 这 模数转换器. 这 电压 在 vref-
定义 这 输入 那 生产 一个 输出 代号 的 所有
zeros, 和 这 电压 在 vref+ 定义 这 输入 那
生产 一个 输出 代号 的 所有 ones.
这 内部的 阻抗 从 vref+ 至 vref- 将 是 作
低 作 1k
Ω
, 和 电流 将 流动 通过 它 甚至 当
这 max152 是 shut 向下. 图示 7d 显示 如何 一个 n-
频道 场效应晶体管 将 是 连接 至 vref- 至 破裂
这个 path 在 电源-向下. 这 场效应晶体管 应当 有 一个
在 阻抗 < 2
Ω
和 一个 3v 门 驱动.
虽然 vref+ 是 frequently 连接 至 v
DD
, 这个
电路 使用 一个 低 电流, 低-落后, 2.5v 电压
涉及 – 这 max872. 自从 这 max872 不能
continuously furnish 足够的 电流 为 这 涉及
阻抗, 这个 电路 是 将 为 产品 在哪里
这 max152 是 正常情况下 在 备用物品 和 是 转变 在 在
顺序 至 制造 度量 在 间隔 更好 比
20µs. 这 电容 c1 连接 至 vref+ 是 慢速地
charged 用 这 max872 在 这 备用物品 时期 和
furnishes 这 涉及 电流 在 这 短的 measure-
ment 时期.
这 2.2µf 值 的 c1 是 选择 所以 那 它的 电压 drops
用 较少 比 1/2lsb 在 这 转换 处理.
大 电容 减少 这 错误 安静的 更远. 使用
陶瓷的 或者 tantalum 电容 为 c1.
当 vref- 是 切换, 作 在 图示 7d, 一个 新 变换器-
sion 能 是 initiated 之后 waiting 一个 时间 equal 至 这
电源-向上 延迟 (t
向上
) 加 这 转变-在 时间 的 这 n-chan-
nel 场效应晶体管.
Bypassing
一个 4.7µf electrolytic 在 并行的 和 一个 0.1µf 陶瓷的
电容 应当 是 使用 至 绕过 v
DD
至 地.
这些 电容 应当 有 minimal 含铅的 长度.
这 涉及 输入 应当 是 绕过 和 0.1µf
电容, 作 显示 在 计算数量 7a-7c.
输入 电流
图示 8 显示 这 相等的 电路 的 这 转换器
输入. 当 这 转换 开始 和
WR
是 低, v
在
是
连接 至 十六 0.6pf 电容. 在 这个 acqui-
sition 阶段, 这 输入 电容 承担 至 这 输入 volt-
age 通过 这 阻抗 的 这 内部的 相似物 switches.
在 增加, 关于 12pf 的 偏离 电容 必须 是
charged. 这 输入 能 是 modeled 作 一个 相等的 rc
网络 (图示 9). 作 源 阻抗 增加, 这
电容 引领 变长 至 承担.
这 典型 22pf 输入 电容 准许 源 resis-
tance 作 高 作 2.2k
Ω
没有 建制 问题. 为 larg-
er 抵制, 这 acquisition 时间 (t
P
) 必须 是 增加.
MAX152
+3v, 8-位 模数转换器 和 1µa 电源-向下
_______________________________________________________________________________________ 9
R
在
R
在
V
在
1
C
V
在
MAX152
图示 8. 相等的 输入 电路
4k
R
V
在
1
12pF
V
在
MAX152
10pF
图示 9. rc 网络 相等的 输入 模型
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