ii. 制造 信息
一个. 描述/函数: 双-阶段, 快-pwm controller 为 imvpcpu 核心 电源 供应
b. 处理: s12 (标准 1.2 micron 硅 门 cmos)
c. 号码 的 device 晶体管: 11,015
d. fabrication location: 加利福尼亚 或者 oregon, usa
e. 组装 location: 泰国 和 usa
f. 日期 的 initial 生产: january, 2003
iii. 包装 信息
一个. 包装 类型:
40-管脚 qfn (6x6)
b. 含铅的 框架: 铜
c. 含铅的 完成: 焊盘 加设护板
d. 消逝 连结: Silver-filled 环氧的
e. bondwire: 金 (1.3 mil dia.)
f. 模型 材料: 环氧的 和 silica filler
g.Assembly 图解: # 05-9000-0383
h. flammability 比率: 类 ul94-V0
i. 分类 的 潮气 敏锐的
每 电子元件工业联合会 标准 jesd22-112: 水平的 1
iv. 消逝 信息
一个. 维度: 130 x 172毫英寸
b. passivation: Si
3
N
4
/sio
2
(硅 渗氮/ 硅 dioxide)
c. interconnect: 铝/si (si = 1%)
d. backside 敷金属: 毫无
e. 最小 metal 宽度: 1.2 microns (作 描绘)
f. 最小 metal 间隔: 1.2 microns (作 描绘)
g. bondpad 维度: 5 mil. sq.
h. 分开 dielectric: SiO
2
i. 消逝 分离 方法: 薄脆饼 锯