MAX1614
高-一侧, n-频道 场效应晶体管
转变 驱动器
4 _______________________________________________________________________________________
____________________________典型 运行 特性 (持续)
(t
一个
= +25°c, 除非 否则 指出.)
2.5
-0.5
020
门-释放 current
vs. 门 电压
max1614-04
V
门
(v)
门-释放 电流 (毫安)
12
1.5
0.5
48
1.0
0
2.0
16214610 18
T
一个
= +85°c
T
一个
= +25°c
T
一个
= -40°c
30
22
530
门-charging current
vs. batt 电压
max1614-06
V
BATT
(v)
门-charging 电流 (
µ
一个)
25
27
25
10 15
26
24
28
29
23
20
T
一个
=
+85°C
T
一个
=
-40°c
5v/div
门 和 源 transitions
为 典型 场效应晶体管 加载
1ms/div
si9936 mosfets
I
加载
= 1a
在 = 地
V
门
V
SRC
V
止
max1614-07
5v/div
门 转变-在 transition
为 典型 场效应晶体管 加载
100
µ
s/div
si9936 mosfets
I
加载
= 1a
C
iss
= 400pf
在 = 地
V
门
V
SRC
V
止
max1614-08
0V
0V
5v/div
门 转变-止 transition
为 典型 场效应晶体管 加载
20
µ
s/div
si9936 mosfets
I
加载
= 1a
C
iss
= 400pf
在 = 地
V
止
max1614-09
V
门
V
SRC
34
26
-40 0 80 100
门-charging current
vs. 温度
28
27
max1614--03
温度 (°c)
门-charging 电流 (
µ
一个)
40-20 6020
32
30
33
31
29
V
BATT
= 15v
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