MAX1858
高-一侧 门-驱动 供应 (bst_)
门-驱动 电压 为 这 高-一侧 n-频道 转变-
es 是 发生 用 这 flying-电容 boost 电路
(图示 3). 一个 boost 电容 (连接 从 bst_ 至
lx_) 提供 电源 至 这 高-一侧 场效应晶体管 驱动器.
在 startup, 这 同步的 整流器 (低-一侧
场效应晶体管) forces lx_ 至 地面 和 charges 这 boost
电容 至 5v. 在 这 第二 half-循环, 之后 这 低-
一侧 场效应晶体管 转变 止, 这 高-一侧 场效应晶体管 是 转变
在 用 closing 一个 内部的 转变 在 bst_ 和
dh_. 这个 提供 这 需要 门-至-源 volt-
age 至 转变 在 这 高-一侧 转变, 一个 action 那
boosts 这 5v 门-驱动 信号 在之上 v
在
. 这 电流
必需的 至 驱动 这 高-一侧 场效应晶体管 门
(f
转变
✕
Q
G
) 是 ultimately 描绘 从 v
L
.
场效应晶体管 门 驱动器 (dh_, dl_)
这 dh 和 dl 驱动器 是 优化 为 驱动 moder-
ate-大小 n-频道 高-一侧, 和 大 低-一侧 电源
mosfets. 这个 是 consistent 和 这 低 职责 因素 seen
和 大 v
在
- v
输出
差别的. 这 dl_ 低-一侧 驱动
波形 是 总是 这 complement 的 这 dh_ 高-一侧
驱动 波形 (和 控制 dead 时间 至 阻止
交叉-传导 或者
“
shoot-通过
”
). 一个 adaptive dead-
时间 电路 monitors 这 dl_ 输出 和 阻止 这
高-一侧 场效应晶体管 从 turning 在 直到 dl_ 是 全部地 止. 那里
必须 是 一个 低-阻抗, 低-电感 path 从 这
dl_ 驱动器 至 这 场效应晶体管 门 在 顺序 为 这 adaptive
dead-时间 电路 至 工作 合适的. 否则, 这 sense
电路系统 在 这 max1858 interprets 这 场效应晶体管 门 作
“
止
”
当 那里 是 的确 承担 安静的 left 在 这 门.
使用 非常 短的, 宽 查出 (50mils 至 100mils 宽 如果 这
场效应晶体管 是 1in 从 这 设备). 这 dead 时间 在 这
dh-止 边缘 是 决定 用 一个 fixed 30ns 内部的 延迟.
同步的 整流 减少 传导 losses 在
这 整流器 用 replacing 这 正常的 低-一侧 肖特基
catch 二极管 和 一个 低-阻抗 场效应晶体管 转变.
additionally, 这 max1858 使用 这 同步的 rectifi-
er 至 确保 恰当的 startup 的 这 boost 门-驱动器 cir-
cuit 和 至 提供 这 电流-限制 信号.
这 内部的 pulldown 晶体管 那 驱动 dl_ 低 是
强健的, 和 一个 0.5
Ω
(典型值) 在-阻抗. 这个 低 在-
阻抗 helps 阻止 dl_ 从 正在 牵引的 向上 dur-
ing 这 快 上升-时间 的 这 lx_ node, 预定的 至 电容的
连接 从 这 流 至 这 门 的 这 低-一侧 syn-
chronous-整流器 场效应晶体管. 不管怎样, 为 高-电流
产品, 一些 结合体 的 高- 和 低-一侧
fets 能 导致 过度的 门-流 连接, leading
至 poor 效率, emi, 和 shoot-通过 电流.
这个 能 是 remedied 用 adding 一个 电阻 (典型地
较少 比 5
Ω
) 在 序列 和 bst_, 这个 增加 这
转变-在 时间 的 这 高-一侧 场效应晶体管 没有 degrading 这
转变-止 时间 (图示 3).
电流-限制 电路 (ilim_)
这 电流-限制 电路 雇用 一个
“
valley
”
电流-
感觉到 algorithm 那 使用 这 在-阻抗 的 这
低-一侧 场效应晶体管 作 一个 电流-感觉到 元素. 如果 这
电流-sense 信号 是 在之上 这 电流-限制 thresh-
old, 这 max1858 做 不 initiate 一个 新 循环 (图示
4). 自从 valley 电流 感觉到 是 运用, 这 真实的
顶峰 电流 是 更好 比 这 电流-限制 门槛
用 一个 数量 equal 至 这 inductor 波纹 电流.
因此, 这 精确的 电流-限制 典型的 和
最大 加载 能力 是 一个 函数 的 这 低-一侧
场效应晶体管
’
s 在-阻抗, 电流-限制 门槛, induc-
tor 值, 和 输入 电压. 这 reward 为 这个 uncer-
tainty 是 强健的, lossless overcurrent 感觉到 那 做
不 需要 costly sense 电阻器.
这 可调整的 电流 限制 accommodates mosfets
和 一个 宽 范围 的 在-阻抗 特性 (看
这
设计 程序
部分). 这 电流-限制 thresh-
old 是 调整 和 一个 外部 电阻 在 ilim_ (图示
1). 这 调整 范围 是 从 50mv 至 300mv, cor-
responding 至 电阻 值 的 100k
Ω
至 600k
Ω
. 在
可调整的 模式, 这 电流-限制 门槛 横过 这
低-一侧 场效应晶体管 是 precisely 1/10th 这 电压 seen
在 ilim_. 不管怎样, 这 电流-限制 门槛 defaults
至 100mv 当 ilim 是 系 至 v
L
. 这 逻辑 门槛
为 switchover 至 这个 100mv default 值 是 approxi-
mately v
L
- 0.5v. 可调整的 foldback 电流 限制
减少 电源 消耗 在 短的-电路 condi-
tions (看 这
设计 程序
部分).
carefully 注意到 这 pc 板 布局 指导原则 至
确保 那 噪音 和 直流 errors 做 不 corrupt 这 cur-
rent-sense 信号 seen 用 lx_ 和 pgnd. 这 ic
必须 是 挂载 关闭 至 这 低-一侧 场效应晶体管 和
短的, 直接 查出 制造 一个 kelvin sense 连接
所以 那 查出 阻抗 做 不 增加 至 这 将
sense 阻抗 的 这 低-一侧 场效应晶体管.
欠压 lockout 和 startup
如果 v
L
drops 在下 4.5v, 这 max1858 假设 那 这
供应 和 涉及 电压 是 too 低 至 制造
有效的 decisions 和 activates 这 欠压 lockout
(uvlo) 电路系统 这个 forces dl 和 dh 低 至 inhibit
切换.
RST
是 也 强迫 低 在 uvlo. 之后 v
L
rises 在之上 4.5v, 这 控制 powers 向上 这 输出.
使能 (en), 软-开始, 和 软-停止
拉 en 高 至 使能 或者 低 至 关闭 两个都 regula-
tors. 在 关闭 这 供应 电流 drops 至 1ma
(最大值), lx enters 一个 高-阻抗 状态 (dh_ con-
nected 至 lx_, 和 dl_ 连接 至 pgnd), 和
竞赛_ 是 释放 至 地 通过 一个 17
Ω
电阻.
V
L
和 ref 仍然是 起作用的 在 关闭. 为
“
总是-在
”
运作, 连接 en 至 v
L
.
双 180° 输出-的-阶段 pwm 步伐-向下
控制 和 电源 sequencing 和 por
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