X22C10
2
管脚 描述 和 设备 运作
地址 (一个
0
–A
5
)
这 地址 输入 选择 一个 4-位 记忆 location
在 一个 读 或者 写 运作.
碎片 选择 (
CS
)
这 碎片 选择 输入 必须 是 低 至 使能 读 或者
写 行动 和 这 内存 排列.
CS
高 将 放置
这 i/o 管脚 在 这 高 阻抗 状态.
写 使能 (
我们
)
这 写 使能 输入 控制 这 i/o 缓存区, deter-
mining whether 一个 内存 读 或者 写 运作 是 en-
abled. 当
CS
是 低 和
我们
是 高, 这 i/o 管脚
将 输出 数据 从 这 选择 内存 地址 loca-
tions. 当 两个都
CS
和
我们
是 低, 数据 提交
在 这 i/o 管脚 将 是 写 至 这 选择 地址
location.
数据 在/数据 输出 (i/o
1
–i/o
4
)
数据 是 写 至 或者 读 从 这 x22c10 通过 这
i/o 管脚. 这 i/o 管脚 是 放置 在 这 高 阻抗
状态 当 也
CS
是 高 或者 在 也 一个 store 或者
recall 运作.
STORE
这
STORE
输入, 当 低, 将 initiate 这 转移 的
这 全部 内容 的 这 内存 排列 至 这 e
2
PROM
排列. 这
我们
和
RECALL
输入 是 inhibited 在
这 store 循环. 这 store 运作 是 完成 在 5ms
或者 较少.
一个 store 运作 有 priority 在 内存 读/写
行动. 如果
STORE
是 asserted 在 一个 读 opera-
tion, 这 读 将 是 停止. 如果
STORE
是 asserted
在 一个 内存 写 运作, 这 写 将 是 immedi-
ately terminated 和 这 store 执行. 这 数据 在
这 内存 地址 那 是 正在 写 将 是 unknown
在 两个都 这 内存 和 e
2
prom arrays.
RECALL
这
RECALL
输入, 当 低, 将 initiate 这 转移
的 这 全部 内容 的 这 e
2
prom 排列 至 这 内存
排列. 这 转移 的 数据 将 是 完成 在 1
µ
s 或者
较少.
一个 排列 recall 有 priority 在 内存 读/写 opera-
tions 和 将 terminate 两个都 行动 当
RECALL
是 asserted.
RECALL
低 将 也 inhibit 这
STORE
输入.
自动 recall
在之上 电源-向上 这 x22c10 将 automatically recall
数据 从 这 e
2
prom 排列 在 这 内存 排列.
写 保护
这 x22c10 有 三 写 保护 特性 那 是
运用 至 保护 这 内容 的 这 nonvolatile
记忆.
•V
CC
sense—all 功能 是 inhibited 当 v
CC
是
<3.5v 典型.
• 写 inhibit—holding 也
STORE
高 或者
RECALL
低 在 电源-向上 或者 电源-向下 将
阻止 一个 inadvertent store 运作 和 e
2
PROM
数据 integrity 将 是 maintained.
• 噪音 protection—a
STORE
脉冲波 的 典型地 较少
比 20ns 将 不 initiate 一个 store 循环.
管脚 names
标识 描述
一个
0
–A
5
地址 输入
i/o
1
–i/o
4
数据 输入/输出
我们
写 使能
CS
碎片 选择
RECALL
Recall
STORE
Store
V
CC
+5V
V
SS
地面
NC 非 连接
3815 pgm t01
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