X84041
8
读 循环
CE
我们
t
WES
OE
2704 ill f06
t
高
t
CE
t
OE
t
OLZ
t
OH
t
WEH
高 z
数据
t
OHZ
t
HZ
t
LZ
t
低
t
RC
i/o
写 循环 限制 – x84041
V
CC
= 5v
±
10% V
CC
= 3v
±
10%
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
NVWC
(5)
nonvolatile 写 循环 时间 10 10 ms
t
WC
写 循环 时间 300 300 ns
t
WP
我们
脉冲波 宽度 30 30 ns
t
WPH
我们
高 恢复 时间 200 200 ns
t
CS
写 建制 时间 0 0 ns
t
CH
写 支撑 时间 0 0 ns
t
CP
CE
脉冲波 宽度 30 30 ns
t
CPH
CE
高 恢复 时间 200 200 ns
t
OES
OE
高 建制 时间 50 50 ns
t
OEH
OE
高 支撑 时间 50 50 ns
t
DS
(6)
数据 建制 时间 30 30 ns
t
DH
(6)
数据 支撑 时间 5 5 ns
t
WPCS
(7)
WP
高 在之前
CE
500 500 ns
t
WPCH
(7)
WP
高 之后
CE
500 500 ns
t
WPWS
(7)
WP
高 在之前
我们
500 500 ns
t
WPWH
(7)
WP
高 之后
我们
500 500 ns
2704 pgm t10.3
注释:
(5) t
NVWC
是 这 时间 从 这 下落 边缘 的
OE
或者
CE
(whichever occurs last) 的 这 第二 读 循环 在 这
“start nonvolatile 写 cycle” sequence 直到 这 自-安排时间, 内部的 nonvolatile 写 循环 是 完成.
(6) 数据 是 latched 在 这 x84041 在 这 rising 边缘 的
CE
或者
我们
, whichever occurs 第一.
(7) periodically 抽样, 但是 不 100% 测试.
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