x84161/641/129
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写 循环 限制 – x84161/641/129
7008 frm t10
注释:
(5) t
NVWC
是 这 时间 从 这 下落 边缘 的 oe 或者 ce (whichever occurs last) 的 这 第二 读 循环 在 这 “start nonvolatile 写 cycle”
sequence 直到 这 自-安排时间, 内部的 nonvolatile 写 循环 是 完成.
(6) 数据 是 latched 在 这 x84161/641/129 在 这 rising 边缘 的 ce 或者 我们, whichever occurs first.
(7) periodically 抽样, 但是 不 100% 测试.
标识 参数
V
CC
= 5v
±
10% V
CC
= 2.5v – 5.5v V
CC
= 1.8v – 3.6v
unitsmin. 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
NVWC
(5)
nonvolatile 写 循环 时间 5 5 5 ms
t
WC
写 循环 时间 100 200 330 ns
t
WP
我们 脉冲波 宽度 25 40 70 ns
t
WPH
我们 高 恢复 时间 65 150 200 ns
t
CS
写 建制 时间 0 0 0 ns
t
CH
写 支撑 时间 0 0 0 ns
t
CP
ce 脉冲波 宽度 25 40 70 ns
t
CPH
ce 高 恢复 时间 65 150 200 ns
t
OES
oe 高 建制 时间 25 25 50 ns
t
OEH
oe 高 支撑 时间 25 25 50 ns
t
DS
(6)
数据 建制 时间 12 20 30 ns
t
DH
(6)
数据 支撑 时间 5 5 5 ns
t
WPSU
(7)
wp 高 建制 100 100 150 ns
t
WPHD
(7)
wp 高 支撑 100 100 150 ns
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