XC61CN0902LB_集成电路资料查询网

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2
V
DF
(t) = 0.9 至 1.5v
±
2% ta = 25
O
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位 电路
发现 电压
V
DF
V
DF
V
DF
V
DF
V
x 0.98 x 1.02
hysteresis 范围
V
HYS
V
DF
V
DF
V
DF
V
x 0.02 x 0.05 x 0.08
V
在
= 1.5v
=2.0v
=3.0v
=4.0v
=5.0v
n-ch                                  v
DS
=0.5v
V
在
=0.7v
=1.0v
p-ch                                  v
DS
=2.1v
V
在
=6.0v
0.7 2.3
0.8 2.7
供应 电流 I
SS
0.9 3.0
µ
一个
2
1
1
1.0 3.2
1.1 3.6
运行 电压 V
在
V
DF
(t) = 0.9v 至 1.5v 0.7 6.0 V
1
0.1 0.8
3
0.85 2.7 毫安
-7.5 -1.5
4
( 和 cmos 输出 )
∆
V
DF
-40
O
C
≤
Topr
≤
85
O
C
±
100 ppm/
°
C
-
∆
Topr
•
V
DF
延迟 时间
tDLY 0.2
ms
5
(v
DR
V
输出
倒置)
便条 :
V
DF
(t) : established 发现 电压 值
释放 电压 : v
DR
= v
DF
+ v
HYS
输出 电流 I
输出
温度 特性

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137 2 V DF (t) = 0.9 至 1.5v ± 2% ta = 25 O C 参数标识情况最小值典型值最大值单位电路发现电压 V DF V DF V DF V DF V x 0.98 x 1.02 hysteresis 范围 V HYS V DF V DF V DF V x 0.02 x 0.05 x 0.08 V 在 = 1.5v =2.0v =3.0v =4.0v =5.0v n-ch v DS =0.5v V 在 =0.7v =1.0v p-ch v DS =2.1v V 在 =6.0v 0.7 2.3 0.8 2.7 供应电流 I SS 0.9 3.0 µ 一个 2 1 1 1.0 3.2 1.1 3.6 运行电压 V 在 V DF (t) = 0.9v 至 1.5v 0.7 6.0 V 1 0.1 0.8 3 0.85 2.7 毫安 -7.5 -1.5 4 ( 和 cmos 输出 ) ∆ V DF -40 O C ≤ Topr ≤ 85 O C ± 100 ppm/ ° C - ∆ Topr • V DF 延迟时间 tDLY 0.2 ms 5 (v DR V 输出倒置) 便条 : V DF (t) : established 发现电压值释放电压 : v DR = v DF + v HYS 输出电流 I 输出温度特性

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