5stp 33l2800
abb 半导体 ag reserves 这 正确的 至 改变 规格 没有 注意.
doc. 非. 5sya1011-03 sep. 01 页 3 的 6
热的
T
jmax
最大值 运行 接合面 温度
范围
125 °C
T
stg
存储 温度 范围 -40…140 °C
R
thJC
热的 阻抗 14 k/kw anode 一侧 cooled
接合面 至 情况 14 k/kw cathode 一侧 cooled
7 k/kw 翻倍 一侧 cooled
R
thCH
热的 阻抗 情况 至 3 k/kw 单独的 一侧 cooled
热温 下沉 1.5 k/kw 翻倍 一侧 cooled
analytical 函数 为 瞬时 热的
阻抗:
)e-(1r = (t)z
n
1i
t/-
ithJC
i
=
τ
i1234
R
i
(k/kw) 4.7 0.853 1.07 0.49
τ
i
(s)
0.4787 0.0824 0.0104 0.0041
0.001 0.010 0.100 1.000 10.000
t[s]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Z
thJC
[K/kW]
TL1
180° sine: 增加 0.8 k/kw
180° rectangular: 增加 0.8 k/kw
120° rectangular: 增加 1 k/kw
60° rectangular: 增加 2 k/kw
F
m
= 63..84 kN
翻倍-一侧 冷却
图. 1 瞬时 热的 阻抗 接合面 至 情况.
在-状态 典型的 模型:
ITDiTCiTBAVT
⋅++⋅+⋅+=
)1ln(
有效的 为 i
T
= 400 – 11000 一个
ABCD
0.731174 0.000079 0.017903 0.002314
图. 2 在-状态 特性.
T
j
=125°c, 10ms half sine
图. 3 在-状态 特性.
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