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p-频道 电源 mos 场效应晶体管
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dmos 结构
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低 在-状态 阻抗 : 0.3
Ω
(最大值)
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过激 高-速 切换
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门 保护 二极管 建造-在
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sot-23 包装
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notebook pcs
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cellular 和 可携带的 phones
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在-板 电源 供应
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li-ion 电池 系统
这 XP152A12C0MR 是 一个 p-频道 电源 MOS 场效应晶体管 和 低 在-
状态 阻抗 和 过激 高-速 切换 特性.
因为高-速切换是可能,这IC能是efficiently设置
因此 节省 活力.
在 顺序 至 计数器 静态的, 一个 门 保护 二极管 是 建造-在.
这 小 sot-23 包装 制造 高 密度 挂载 可能.
低 在-状态 阻抗
: rds (在) = 0.3
Ω
( vgs = -4.5v )
: rds (在) = 0.5
Ω
( vgs = -2.5v )
过激 高-速 切换
门 保护 二极管 建造-在
运算的 电压
: -2.5v
高 密度 挂载
: sot-23
Ta=25
O
C
标识 比率 单位
Vdss -20 V
Vgss
+
12 V
Id -0.7 一个
Idp -2.8 一个
Idr -0.7 一个
Pd 0.5 W
Tch 150
O
C
Tstg -55 ~ 150
O
C
( 便条 ) : 当 执行 在 一个 陶瓷的 pcb
存储 温度
反转 流 电流
持续的 频道
电源 消耗 (便条)
频道 温度
流 - 源 电压
门 - 源 电压
流 电流 (直流)
流 电流 (脉冲波)
参数