®
XTR101
6
+V
CC
一个
1
+V
CC
D
1
V
PS
I
O
7
e
L
10 11
Q
1
R
1
电压 控制
电流 源
2.5k
Ω
100µA
1.25k
Ω
8
56
2mA
R
2
52.6
Ω
(e
2
)
I
B1
I
B2
I
2
I
REF1
1k
Ω
e
在
I
S
(e
2
)
(e
1
)
I
3
I
4
R
3
–+
I
1
+
–
一个
3
I
O
= 4ma + (0.016 + 40/r
S
) e
在
, e
在
= e
2
– e
1
Ω
(e
1
)
R
S
–In
3
+In
4
e
在
I
REF2
I
O
+V
CC
1.25k
Ω
R
4
+V
CC
+V
CC
R
L
一个
2
图示 1. simplified 图式 的 这 xtr101.
和 降低 热的 反馈 至 这 输入 平台. 也 在
此类 产品 在哪里 e
在
全部 规模 是 小 (<50mv) 和
R
SPAN
是 小 (<150
Ω
), 提醒 应当 是 带去 至 考虑
errors 从 这 外部 span 电路 加 高 放大器
的 补偿 逐渐变化 和 噪音.
optional 外部 晶体管
这 optional 外部 晶体管, 当 使用, 是 连接 在
并行的 和 这 xtr101’s 内部的 晶体管. 这 目的
是 至 增加 精度 用 减少 热温 改变 inside 这
xtr101 包装 作 这 输出 电流 spans 从 4-20ma.
下面 正常的 运行 情况, 这 内部的 晶体管 是
从不 完全地 转变 止 作 显示 在 图示 2. 这个
维持 频率 稳固 和 varying 外部 transis-
tor 特性 和 线路 电容. 这 真实的 “cur-
rent sharing” 在 内部的 和 外部 晶体管 是
依赖 在 二 factors: (1) 相关的 geometry 的 发射级
areas 和 (2) 相关的 包装 消耗 (情况 大小 和
热的 conductivity). 为 最好的 结果, 这 外部 设备
应当 有 一个 大 根基-发射级 范围 和 小 包装.
它 将, 在之上 转变 在, 引领 关于 [0.95 (i
O
– 3.3ma)]ma.
不管怎样, 它 将 热温 faster 和 引领 一个 更好 share 之后 一个
few 秒.
虽然 任何 npn 的 合适的 电源 比率 将 运作
和 这 xtr101, 二 readily 有 晶体管 是
推荐.
1. 2n2222 在 这 至-18 包装. 为 电源 供应 volt-
ages 在之上 24v, 一个 750
Ω
, 1/2w 电阻 应当 是 con-
nected 在 序列 和 这 集电级. 这个 将 限制 这
电源 消耗 至 377mw 下面 这 worst-情况 condi-
tions 显示 在 图示 2. 因此 这 2n2222 将 safely
运作 在下 它的 400mw 比率 在 这 upper 温度
的 +85
°
c. 热温 sinking 这 2n2222 将 结果 在 非常
减少 精度 改进 和 是 不 推荐.
2. tip29b 在 这 至-220 包装. 这个 晶体管 将
运作 在 这 指定 温度 和 输出 电压
范围 没有 一个 序列 集电级 电阻. 热温 sinking 这
tip29b 将 结果 在 slightly 较少 精度 改进.
它 能 是 完毕, 不管怎样, 当 机械的 constraints
需要 它.
精度 和 和
没有 外部 晶体管
这 xtr101 有 被 测试 在 一个 电路 使用 一个 外部
晶体管. 这 相关的 区别 在 精度 和 和
没有 一个 外部 晶体管 是 显示 在 图示 3. 注意
那 一个 dramatic 改进 在 补偿 电压 改变 和
供应 电压 是 evident 为 任何 值 的 加载 电阻.
主要的 点 至
考虑 当 使用 这 xtr101
1. 这 leads 至 r
S
应当 是 保持 作 短的 作 可能 至
减少 噪音 挑选-向上 和 parasitic 阻抗.
2. +v
CC
应当 是 绕过 和 一个 0.01
µ
f 电容 作 关闭
至 这 单位 作 可能 (管脚 8 至 7).
3. 总是 保持 这 输入 电压 在里面 它们的 范围 的
直线的 运作, +4v 至 +6v (e
1
和 e
2
量过的 和
遵守 至 管脚 7).
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