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fn9016.3
12月 28, 2004
equations 给 这 近似的 回馈 时间 间隔 为
应用 和 除去 的 一个 瞬时 加载:
在哪里: i
TRAN
是 这 瞬时 加载 电流 步伐, t
上升
是 这
回馈 时间 至 这 应用 的 加载, 和 t
FALL
是 这
回馈 时间 至 这 除去 的 加载. 这 worst 情况
回馈 时间 能 是 也 在 这 应用 或者 除去 的
加载. 是 确信 至 审查 两个都 的 这些 equations 在 这
最小 和 最大 输出水平 为 这 worst 情况
回馈 时间.
输入 电容 选择
使用 一个 混合 的 输入 绕过 电容 至 控制 这 电压
越过 横过 这 mosfets. 使用 小 陶瓷的
电容 为 高 频率 decoupling 和 大(量) 电容
至 供应 这 电流 需要 各自 时间 q
1
转变 在. 放置 这
小 陶瓷的 电容 physically 关闭 至 这 mosfets
和 在 这 流 的 q
1
和 这 源 的 q
2
.
这 重要的 参数s 为 这 大(量) 输入 电容 是 这
电压 比率 和 这 rms 电流 比率. 为 可依靠的
运作, 选择 这 大(量) 电容 和 电压 和 电流
比率 在之上 这 最大 输入 电压 和 largest rms
电流 必需的 用 这 电路. 这 电容 电压 比率
应当 是 在 least 1.25 德州仪器mes 更好 比 这 最大
输入 电压 和 一个 电压 比率 的 1.5 时间 是 一个
conservative 指导原则. 这 rms 电流 比率 必要条件
为 这 输入 电容 的 一个 buck 调整器 是 大概
1/2 这 直流 加载 电流.
为 一个 通过 孔 设计, several electrolytic 电容 将
是 需要. 为 表面 挂载 设计, 固体的 tantalum
电容 能 是 使用, 但是 提醒 必须 是 exercised 和
关于 至 这 电容 surge currentrating. 这些 电容
必须 是 有能力 的 处理 这surge-电流 在 电源-向上.
一些 电容 序列 有 从 reputable manufacturers
是 surge current 测试.
场效应晶体管 选择/仔细考虑
这 isl6520a 需要 2 n-频道 电源 mosfets. 这些
应当 是 选择 为基础 在之上 r
ds(在)
, 门 供应
(所需的)东西, 和 热的 管理 (所需的)东西.
在 高-电流 产品, 这 场效应晶体管 电源 消耗,
包装 选择 和 散热器 是 这 首要的 设计
factors. 这 电源 消耗 包含 二 丧失 组件;
传导 丧失 和 切换 丧失. 这 传导 losses 是
这 largest 组件 的 电源 消耗 为 两个都 这 upper
和 这 更小的 mosfets. 这些 losses 是 distributed 在
这 二 mosfets 符合 至 职责 因素. 这 切换
losses seen 当 sourcing 电流将 是 不同的 从 这
切换 losses seen 当 sinking 电流. 当 sourcing
电流, 这 upper 场效应晶体管 realizes 大多数 的 这 切换
losses. 这 更小的 转变 realizes 大多数 的 这 切换
losses 当 这 转换器 是 sinking 电流 (看 这
equations 在下). 这些 equations 假设 直线的 电压-
电流 transitions 和 做 不 adequately 模型 电源 丧失
预定的 这 反转-恢复 的 这 upper 和 更小的 场效应晶体管’s
身体 二极管. 这 门-承担 losses 是 dissipated 用 这
ISL6520A和 don't 热温 这 mosfets. 不管怎样, 大 门-
承担 增加 这 切换 间隔, t
SW
这个 增加
这 场效应晶体管 切换 losses. 确保 那 两个都 mosfets
是 在里面 它们的 最大 接合面 温度 在 高 包围的
温度 用 calculating 这 温度 上升 符合 至
包装 热的-阻抗 规格. 一个 独立的 散热器
将 是 需要 取决于 在之上 场效应晶体管 电源, 包装
类型, 包围的 温度 和 空气 流动.
给 这 减少 有 门 偏差 电压 (5v),
逻辑-水平的 或者 sub-逻辑-水平的 晶体管 应当 是 使用 为
两个都 n-mosfets. 提醒 应当 是 exercised 和 设备
exhibiting 非常 低 v
gs(在)
特性. 这 shoot-
通过 保护 呈现 aboard 这 isl6520a 将 是
circumvented 用 这些 mosfets 如果 它们 有 大 parasitic
impedences 和/或者 capacitances 那 将 inhibit 这 门
的 这 场效应晶体管 从 正在 discharged 在下 它’s 门槛
水平的 在之前 这 complementary 场效应晶体管 是 转变 在.
图示 7 显示 这 upper 门 驱动 (激励 管脚) 有提供的 用 一个
自举 电路 从 v
CC
. 这 激励 电容, c
激励
,
develops 一个 floating 供应 电压 关联 至 这 阶段
管脚. 这 供应 是 refreshed 至 一个 电压 的 v
CC
较少 这 激励
二极管 漏出 (v
D
) 各自 时间 这 更小的 场效应晶体管, q
2
, 转变 在.
t
上升
=
l x i
TRAN
V
在
- v
输出
t
FALL
=
l x i
TRAN
V
输出
P
更小的
= io
2
x r
ds(在)
x (1 - d)
在哪里: d 是 这 职责 循环 = v
输出
/ v
在
,
t
SW
是 这 联合的 转变 在 和 止 时间, 和
F
S
是 这 切换 频率.
losses 当 sourcing 电流
losses 当 sinking 电流
P
更小的
Io
2
r
DS 在
()
×
1D
–
()×
1
2
---
Io
⋅
V
在
×
t
SW
F
S
××
+=
P
UPPER
Io
2
r
DS 在
()
×
D
×
1
2
---
Io
⋅
V
在
×
t
SW
F
S
××
+=
P
UPPER
= io
2
x r
ds(在)
x d
+5V
ISL6520A
地
LGATE
UGATE
阶段
激励
VCC
+5V
便条:
便条:
V
g-s
≈
V
CC
C
激励
D
激励
Q1
Q2
+
-
图示 7. upper 门 驱动 自举
V
g-s
≈
V
CC
-v
D
+ v
D
-
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