ds18004 rev. 19 - 2 3 的 3 bzt52c2v4 - bzt52c39
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
25050
75
100 125 150
p,p
O
WER DISSIP在I
O
N (w)
D
T , 包围的 温度 ( c)
图. 1 电源 消耗 vs 包围的 温度
一个
0.6
0
10
20
30
40
50
01 2 3 4 5 6
7
8910
I , 齐纳
C
URRENT
(
毫安
)
Z
V , 齐纳 电压 (v)
图. 2 齐纳 损坏 特性
Z
T = 25°C
j
C2V7
C3V3
C3V9
C4V7
C5V6
C6V8
C8V2
C6V2
测试 电流 I
5.0ma
Z
0
10
20
30
0
I , 齐纳 电流 (毫安)
Z
V , 齐纳 电压 (v)
Fi
g. 3 齐纳 损坏 特性
Z
10 20 30 40
T = 25°C
j
测试 电流 I
5mA
Z
测试 电流 I
2mA
Z
C10
C12
C18
C22
C27
C33
C36
C15
0
2
4
6
8
10
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
I , 齐纳 电流 (毫安)
Z
V , 齐纳 电压 (v)
Fi
g. 4 齐纳 损坏 特性
Z
测试 电流 I
2mA
Z
C39
T = 25°C
j
C , 总的 电容 (pf)
T
10
100
1000
10
100
1
V , 名义上的 齐纳 电压 (v)
图. 5 总的 电容 vs 名义上的 齐纳 电压
Z
T = 25 °C
f = 1MHz
j
V=1V
R
V=2V
R
V=1V
R
V=2V
R
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