BZT52C2V4S_集成电路资料查询网

0
10
20
30
0
I , 齐纳 电流 (毫安)
Z
V , 齐纳 电压 (v)
Z
Fig. 3. 齐纳 损坏 特性
10 20 30 40
T = 25°c
j
测试 电流 i
Z
5mA
C10
C12
C18
C22
C27
C33
C36
C15
C39
0
10
20
30
40
50
01 2 3 4 5 6
7
8910
I , 齐纳 电流 (毫安)
Z
V , 齐纳 电压 (v)
Z
图. 2 齐纳 损坏 特性
t = 25°c
j
C2V7
C3V3
C3V9
C4V7
C5V6
C6V8
C8V2
测试 电流 I
Z
5.0ma
T , 包围的 温度, °C
一个
Fig. 1.  电源 derating 曲线
P , 电源 消耗 (mw)
D
200
100
0
300
0
100
200
C , 总的 电容 (pf)
T
10
100
1000
10
100
1
V , 名义上的 齐纳 电压 (v)
Z
图. 4 总的 电容 vs 名义上的 齐纳 电压
T=25°C
j
V=1V
R
V=2V
R
V=1V
R
V=2V
R

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0 10 20 30 0 I , 齐纳电流 (毫安) Z V , 齐纳电压 (v) Z Fig. 3. 齐纳损坏特性 10 20 30 40 T = 25°c j 测试电流 i Z 5mA C10 C12 C18 C22 C27 C33 C36 C15 C39 0 10 20 30 40 50 01 2 3 4 5 6 7 8910 I , 齐纳电流 (毫安) Z V , 齐纳电压 (v) Z 图. 2 齐纳损坏特性 t = 25°c j C2V7 C3V3 C3V9 C4V7 C5V6 C6V8 C8V2 测试电流 I Z 5.0ma T , 包围的温度, °C 一个 Fig. 1. 电源 derating 曲线 P , 电源消耗 (mw) D 200 100 0 300 0 100 200 C , 总的电容 (pf) T 10 100 1000 10 100 1 V , 名义上的齐纳电压 (v) Z 图. 4 总的电容 vs 名义上的齐纳电压 T=25°C j V=1V R V=2V R V=1V R V=2V R

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