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资料编号:739242
资料名称:
ZTX849
文件大小: 60.61K
说明
:
介绍
:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
: 点此下载
1
2
3
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
0.01
0.1
1
10
0.4
0
0.8
典型 特性
V
ce(sat)
v i
C
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
V
CE
(sa
t
)
- (v
olts)
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
V
是(sat)
v i
C
I
C
-
Co
l
le
c
至
r
Cur
r
e
nt
(
Am
ps)
V
CE
-
集电级 电压 (伏特)
safe 运行 范围
0.1
100
110
0.1
1
10
100
单独的 脉冲波 测试 在 t
amb
=25°C
0.01
0.1
1
10
1.0
0.5
2.0
1.5
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
V
是(在)
v i
C
V
B
E
-
(
V
olts)
V
CE
=1V
V
是
(
s
在)
- (v
olts)
I
C
/i
B
=10
0.6
0.2
0.01
0.1
1
10
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.6
1.4
1.2
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
h
FE
v i
C
h
F
E
- norma
l
ised
Ga
i
n
300
200
100
h
FE
- 典型 增益
d.c.
1s
100ms
10ms
1.0ms
0.1ms
V
CE
=5V
100
V
CE
=1V
100
0.001
I
C
/i
B
=50
0.01
0.1
1
10
1.0
0.5
2.0
1.5
100
0.001
I
C
/i
B
=50
I
C
/i
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=10
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