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资料编号:741274
 
资料名称:BZX79-C75
 
文件大小: 321.26K
   
说明
 
介绍:
SILICON PLANAR ZENER DIODES
 
 


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标识 单位
齐纳 电流 (看 表格 “characteristics”)
电源 消耗 在 t
amb
= 25°c P
tot
500
(1)
mW
接合面 温度 T
j
-65 至 200 °C
存储 温度 范围 T
S
-65 至 + 200 °C
持续的 向前 电流 I
F
250 毫安
顶峰 反转 电源 消耗 (非-repetitive) t
p
=100ms,
P
ZSM
40 Watts
正方形的 波
bzx79 序列
硅 planar 齐纳 二极管
特性
这 齐纳 电压 是 graded 符合 至 这 国际的
e 24 标准. 高等级的 齐纳 电压 和 1% 容忍
有 在 要求.
二极管 有 在 这些 容忍 序列:
±2% bzx79-b
±3% bzx79-f
±5% bzx79-c
机械的 数据
情况:
做-35 glass 情况
重量:
approx. 0.13 g
最大 比率 和 电的 特性
比率 在 25°c 包围的 温度 8unless 否则 指定
12/10/98
最小值 1.083 (27.5)
最小值 1.083 (27.5)
最大值 .150 (3.8)
最大值
Cathode
.020 (0.52)
Mark
最大值
.079 (2.0)
维度 在 英寸 和 (毫米)
做-35
特性 在 tamb = 25°c
标识 最小值 典型值 最大值 单位
热的 阻抗
R
thJA
0.3
(1)
°c/w
接合面 至 包围的 空气
向前 电压
V
F
0.9 伏特
在 i
F
= 10 毫安
注释:
(1) 有效的 提供 那 leads 是 保持 在 包围的 温度 在 一个 距离 的 8mm 从 情况.
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