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资料编号:741552
 
资料名称:BZX84B10
 
文件大小: 120.16K
   
说明
 
介绍:
SURFACE MOUNT 350mW SILICON ZENER DIODE 2.4 VOLTS THRU 47 VOLTS
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BZX84C2V4
THRU
BZX84C47
表面 挂载
350mw 硅 齐纳 二极管
2.4 伏特 thru 47 伏特
sot-23 情况
Central
半导体 corp.
TM
r5 ( 30-march 2004)
描述:
这 central 半导体 bzx84c2v4
序列 是 表面 挂载 硅 齐纳 二极管.
这些 高 质量 电压 regulating 二极管 是
设计 为 使用 在 工业的, 商业的,
entertainment 和 计算机 产品.
标记 代号: 看 标记 代号 在
电的 特性 表格
最大 比率:
(t
一个
=25°c 除非 否则 指出)
标识 单位
电源 消耗 P
D
350 mW
运行 和 存储 温度 T
J
,t
stg
-65 至 +150 °C
热的 阻抗
Θ
JA
357 °c/w
电的 特性:
(t
一个
=25°c), v
F
=0.9v 最大值 @ i
F
=10mA 为 所有 类型.
类型 非.
齐纳
电压
V
Z
@ i
ZT
测试
电流
最大
齐纳
IMPEDENCE
最大
反转
电流
最大
齐纳
电流
最大
齐纳
电压
温度
coeff.
标记
代号
最小值 NOM 最大值
Z
ZT
@ i
ZT
Z
ZK
@ i
ZK
I
R
@ v
R
I
ZM
ΘΘ
V
Z
伏特 伏特 伏特 毫安
ΩΩ ΩΩ
毫安
µµ
一个
伏特 毫安 % / °c
BZX84C2V4
2.2 2.4 2.6 5.0 100 600 1.0 50 1.0 104 -0.06 W3
BZX84C2V7
2.5 2.7 2.9 5.0 100 600 1.0 20 1.0 92 -0.06 W4
BZX84C3V0
2.8 3.0 3.2 5.0 95 600 1.0 10 1.0 83 -0.06 W5
BZX84C3V3
3.1 3.3 3.5 5.0 95 600 1.0 5.0 1.0 76 -0.06 W6
BZX84C3V6
3.4 3.6 3.8 5.0 90 600 1.0 5.0 1.0 69 -0.06 W7
BZX84C3V9
3.7 3.9 4.1 5.0 90 600 1.0 3.0 1.0 64 -0.06 W8
BZX84C4V3
4.0 4.3 4.6 5.0 90 600 1.0 3.0 1.0 58 -0.05 W9
BZX84C4V7
4.4 4.7 5.0 5.0 80 500 1.0 3.0 2.0 53 -0.03 Z1
BZX84C5V1 4.8 5.1 5.4 5.0 60 480 1.0 2.0 2.0 49 0.02 Z2
BZX84C5V6
5.2 5.6 6.0 5.0 40 400 1.0 1.0 2.0 45 0.03 Z3
BZX84C6V2
5.8 6.2 6.6 5.0 10 150 1.0 3.0 4.0 40 0.04 Z4
BZX84C6V8
6.4 6.8 7.2 5.0 15 80 1.0 2.0 4.0 37 0.05 Z5
BZX84C7V5
7.0 7.5 7.9 5.0 15 80 1.0 1.0 5.0 33 0.05 Z6
BZX84C8V2
7.7 8.2 8.9 5.0 15 80 1.0 0.7 5.0 30 0.06 Z7
BZX84C9V1
8.5 9.1 9.6 5.0 15 100 1.0 0.5 6.0 27 0.06 Z8
BZX84C10
9.4 10 10.6 5.0 20 150 1.0 0.2 7.0 25 0.07 Z9
容忍 代号 容忍
一个 ±1%
B ±2%
BZX84 C 4V7
部分 号码 identification
容忍 代号
名义上的 值 代号 (i.e. 4.7 伏特)
设备 序列
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