ZXMN10A08E6_集成电路资料查询网

SUMMARY
V
(br)dss
= 100v; R
ds(在)
= 0.4 I
D
= 1.5a
描述
这个 新 一代 的 TRENCH MOSFETs 从 Zetex 运用 一个 唯一的 结构
那 结合 这 益处 的 低 在-阻抗 和 快 切换 速. 这个
制造 它们 完美的 为 高 效率, 低 电压, 电源 管理
产品.
特性
•
低 在-阻抗
•
快 切换 速
•
低 门槛
•
低 门 驱动
•
sot23-6 包装
产品
•
直流 - 直流 转换器
•
电源 管理 功能
•
disconnect switches
•
发动机 控制
设备 标记
•
10A8
ZXMN10A08E6
公布 1 - march 2002
1
100v n-频道 增强 模式 场效应晶体管
设备 卷轴
大小
录音带
宽度
QUANTITY
每 卷轴
ZXMN10A08E6TA 7” 8mm 3000 单位
ZXMN10A08E6TC 13” 8mm 10000 单位
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SUMMARY V (br)dss = 100v; R ds(在) = 0.4 I D = 1.5a 描述这个新一代的 TRENCH MOSFETs 从 Zetex 运用一个唯一的结构那结合这益处的低在-阻抗和快切换速. 这个制造它们完美的为高效率, 低电压, 电源管理产品. 特性 • 低在-阻抗 • 快切换速 • 低门槛 • 低门驱动 • sot23-6 包装产品 • 直流 - 直流转换器 • 电源管理功能 • disconnect switches • 发动机控制设备标记 • 10A8 ZXMN10A08E6 公布 1 - march 2002 1 100v n-频道增强模式场效应晶体管设备卷轴大小录音带宽度 QUANTITY 每卷轴 ZXMN10A08E6TA 7” 8mm 3000 单位 ZXMN10A08E6TC 13” 8mm 10000 单位订货信息顶视图 S O T 2 3 - 6

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