ZXMN10B08E6
半导体
provisional 公布 b - 将 2003
4
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 Conditions.
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
100 V I
D
=250
一个, V
GS
=0V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
0.5
AV
DS
=100v, V
GS
=0V
门-身体 泄漏 I
GSS
100 nA V
GS
=
20v, V
DS
=0V
门-源 门槛 电压 V
gs(th)
1.0 3.0 V I
D
=250
一个, V
DS
=V
GS
静态的 流-源 在-状态 阻抗
(1)
R
ds(在)
0.230
0.300
0.500
V
GS
=10v, I
D
=1.6a
V
GS
=4.5v, I
D
=1.4a
V
GS
=4.3v, I
D
=1.1a
向前 跨导 (1)(3) g
fs
4.8 S V
DS
=15v,i
D
=1.6a
动态
(3)
输入 电容 C
iss
497 pF
V
DS
=50v,v
GS
=0v,
f=1MHz
输出 电容 C
oss
29 pF
反转 转移 电容 C
rss
18 pF
切换
(2) (3)
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
2.9 ns
V
DD
=50v, I
D
=1.0a
R
G
≅
6.0
,v
GS
=10V
上升 时间 t
r
2.1 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
12.1 ns
下降 时间 t
f
5.0 ns
门 承担 Q
g
5.0 nC V
DS
=50v,v
GS
=5v,
I
D
=1.6a
总的 门 承担 Q
g
9.2 nC
V
DS
=50v,v
GS
=10v,
I
D
=1.6a
门-源 承担 Q
gs
1.7 nC
门-流 承担 Q
gd
2.5 nC
源-流 二极管
二极管 向前 电压 (1) V
SD
0.85 0.95 V T
J
=25°c, I
S
=2.0a,
V
GS
=0V
反转 恢复 时间 (3) t
rr
32.0 ns T
J
=25°c, I
F
=1.7a,
di/dt= 100a/
s
反转 恢复 承担 (3) Q
rr
40.0 nC
电的 特性
(在 t
一个
= 25°c 除非 否则 陈述).
注释
(1) 量过的 下面 搏动 情况. 宽度
=
300
µ
s. 职责 循环
≤
2% .
(2) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
(3) 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
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