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资料编号:742048
 
资料名称:ZXMN6A11G
 
文件大小: 1024.41K
   
说明
 
介绍:
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ZXMN6A11G
公布 1 - march 2002
2
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DSS
60 V
门-源 电压 V
GS
20 V
持续的 电流 V
GS
=10v; T
一个
=25°c(b)
V
GS
=10v; T
一个
=70°c(b)
V
GS
=10v; T
一个
=25°c(一个)
I
D
3.8
3.0
2.7
一个
搏动 电流 (c) I
DM
10 一个
持续的 电流 (身体 二极管) (b) I
S
5A
搏动 电流 (身体 二极管)(c) I
SM
10 一个
电源 消耗 T
一个
=25°C (一个)
直线的 减额 因素
P
D
2.0
16
W
mw/°c
电源 消耗 T
一个
=25°C (b)
直线的 减额 因素
P
D
3.9
31
W
mw/°c
运行 存储 温度 范围 T
j
:t
stg
-55 至 +150 °C
绝对 最大 比率
参数 标识 单位
接合面 包围的 (一个)
R
θ
JA
62.5 °c/w
接合面 包围的 (b)
R
θ
JA
32 °c/w
热的 阻抗
注释
(一个) 为 一个 设备 表面 挂载 在 25mm x 25mm fr4 pcb 和 高 coverage 的 单独的 sided 1oz 铜, 在 安静的 空气 情况
(b) 为 一个 设备 表面 挂载 在 fr4 pcb 量过的 在 t
5 secs.
(c) repetitive 比率 25mm x 25mm fra pcb, d=0.05 脉冲波 宽度 = 10
s - 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
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