ZXMN6A09K
半导体
公布 3 - january 2004
4
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 CONDITIONS
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
60 V I
D
= 250
一个, V
GS
=0V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
1
AV
DS
= 60v, V
GS
=0V
门-身体 泄漏 I
GSS
100 nA V
GS
=±20v, V
DS
=0V
门-源 门槛 电压 V
gs(th)
1.0 V I
D
= 250
一个, V
DS
=V
GS
静态的 流-源 在-状态 阻抗
(1)
R
ds(在)
0.045
V
GS
= 10v, I
D
= 7.3a
0.070
V
GS
= 4.5v, I
D
=5.6a
向前 跨导
(1) (3)
g
fs
15 S V
DS
= 15v, I
D
= 7.3a
动态
(3)
输入 电容 C
iss
1426 pF
V
DS
= 30v, V
GS
=0V
f=1MHz
输出 电容 C
oss
134 pF
反转 转移 电容 C
rss
64 pF
切换
(2) (3)
转变-在-延迟 时间 t
d(在)
4.8 ns
V
DD
= 30v, I
D
=1A
R
G
≅
6.0
,v
GS
= 10V
(谈及 至 测试 电路)
上升 时间 t
r
4.6 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
32.5 ns
下降 时间 t
f
14.5 ns
总的 门 承担 Q
g
15 nC V
DS
= 30v, V
GS
= 4.5v
I
D
= 5.6a
总的 门 承担 Q
g
29 nC
V
DS
= 30v, V
GS
= 10V
I
D
= 7.3a
门-源 承担 Q
gs
7.0 nC
门 流 承担 Q
gd
4.7 nC
源-流 二极管
二极管 向前 电压
(1)
V
SD
0.85 0.95 V T
j
=25°c, I
S
= 6.6a,
V
GS
=0V
反转 恢复 时间
(3)
t
rr
25.6 ns
T
j
=25°c, I
S
= 3a,
di/dt=100a/
s
反转 恢复 承担
(3)
Q
rr
26.0 nC
电的 特性
(在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述)
注释
(1) 量过的 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度
300
s; 职责 循环
2%.
(2) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
(3) 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
: 点此下载
