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资料编号:742135
 
资料名称:ZXM61P03F
 
文件大小: 229.66K
   
说明
 
介绍:
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ZXM61P03F
85
0.1 1 100
1.5 2.5
0.1 1 10 0.2 0.8 1.4
+200+100-100
0.1 10 100
-v
DS
- 流-源 电压 (v)
输出 特性
100m
1
10
-i
D
- 流 电流 (一个)
-vgs
vds=-10v
-i
D
- 流 电流 (一个)
10
1
10m
-v
GS
- 门-源 电压 (v)
典型 转移 特性
R
ds(在)
- 流-源 在-阻抗 (
)
10
1
100m
-i
D
- 流 电流 (一个)
在-阻抗 v 流 电流
-i
D
- 流 电流 (一个)
10
1
100m
-v
DS
- 流-源 电压 (v)
输出 特性
normalised r
ds(在)
和 v
gs(th)
1.7
1.1
0.5
T
j
- 接合面 温度 (°c)
normalised r
ds(在)
和 v
gs(th)
v 温度
-i
SD
- 反转 流 电流 (一个)
10
1
10m
-v
SD
- 源-流 电压 (v)
源-流 二极管 向前 电压
T=+150°C
T=+25°C
T=+150°C
vgs=-10v
T=+25°C
rds(在)
id=-0.6a
VGS=VDS
id=-250ua
vgs(th)
0.4 0.6 1.0 1.2
100m
vg=-5v
1.5
1.3
0.9
0.7
03.5 4.5
100m
10
5V
4V
3V
9V
8V
7V
3V
4V
5V
6V
-vgs
7V
8V
10V
+150°C
+25°C
9V
10V
6V
vg=-10v
vg=-3v
典型 特性
provisional 公布 一个 - july 1999
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