SUMMARY
n-频道 V
(br)dss
= 60v; R
ds(在)
= 0.055 ;i
D
= 4.7a
p-频道 V
(br)dss
= -60v; R
ds(在)
= 0.105 ;i
D
= -3.9a
描述
这个 新 一代 的 TRENCH MOSFETs 从 Zetex 运用 一个 唯一的
结构 那 结合 这 益处 的 低 在-阻抗 和 快 切换
速. 这个 制造 它们 完美的 为 高 效率, 低 电压, 电源
管理 产品.
特性
•
低 在-阻抗
•
快 切换 速
•
低 门槛
•
低 门 驱动
•
低 profile SOIC 包装
产品
•
发动机 驱动
•
lcd backlighting
设备 标记
•
ZXMC
4559
ZXMC4559DN8
公布 5 - 将 2005
半导体
1
complementary 60v 增强 模式 场效应晶体管
设备 卷轴 录音带
宽度
QUANTITY
每 卷轴
ZXMC4559DN8TA 7
’‘
12mm 500 单位
ZXMC4559DN8TC 13’‘ 12mm 2500 单位
订货 信息
q2 = p-channelq1 = n-频道
SO8
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引脚