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资料编号:742238
 
资料名称:ZXM61P02F
 
文件大小: 228.47K
   
说明
 
介绍:
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
 
 


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ZXM61P02F
77
0.1 1 100
1.5 2.5
0.1 1 10 0.2 0.8 1.4
+200+100-100
0.1 10 100
-v
DS
- 流-源 电压 (v)
输出 特性
100m
1
10
-i
D
- 流 电流 (一个)
-vgs
3V
vds=-10v
-id - 流 电流 (一个)
10
1
10m
-vgs - 门-源 电压 (v)
典型 转移 特性
R
ds(在)
- 流-源 在-阻抗 (
)
10
1
100m
-i
D
- 流 电流 (一个)
在-阻抗 v 流 电流
-i
D
- 流 电流 (一个)
10
1
100m
-v
DS
- 流-源 电压 (v)
输出 特性
normalised r
ds(在)
和 v
gs(th)
1.7
1.1
0.5
T
j
- 接合面 温度 (°c)
normalised r
ds(在)
和 v
gs(th)
v 温度
-i
SD
- 反转 流 电流 (一个)
10
1
10m
-v
SD
- 源-流 电压 (v)
源-流 二极管 向前 电压
T=+150°C
T=+25°C
T=+150°C
vgs=-4.5v
T=+25°C
rds(在)
id=-0.61a
VGS=VDS
id=-250ua
vgs(th)
0.4 0.6 1.0 1.2
100m
vg=-2.5v
vg=-4.5v
1.5
1.3
0.9
0.7
0
3.5 4.5
100m
10
3.5v
2.5v
2V
5V
4.5v
4V
2V
2.5v
3V
3.5v
-vgs
4V
4.5v
5V
+150°C+25°C
典型 特性
provisional 公布 一个 - july 1999
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