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资料编号:742242
 
资料名称:ZXM62P02E6TA
 
文件大小: 203.8K
   
说明
 
介绍:
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ZXM62P02E6
109
0.1 100
12.5 5
0.1 10 100 0.2 0.8 1.4
20050-100
0.1 10 100
-v
DS
- 流-源 电压 (v)
输出 特性
0.1
100
-i
D
- 流 电流 (一个)
vds=-10v
-i
D
- 流 电流 (一个)
100
10
0.1
-v
GS
- 门-源 电压 (v)
典型 转移 特性
rds(在) - 流-源 在-阻抗 (
)
10
1
0.1
-i
D
- 流 电流 (一个)
在-阻抗 v 流 电流
3V
-i
D
- 流 电流 (一个)
100
10
-vgs
0.1
-v
DS
- 流-源 电压 (v)
输出 特性
normalised r
ds(在)
和 v
gs(th)
1.6
1.0
0.4
T
j
- 接合面 温度 (°c)
normalised r
ds(在)
和 v
gs(th)
v 温度
-i
SD
- 反转 流 电流 (一个)
100
10
0.1
-v
SD
- 源-流 电压 (v)
源-流 二极管 向前 电压
T=150°C
T=25°C
+150°C
T=150°C
vgs=-4.5v
T=25°C
rds(在)
id=-1.6a
VGS=VDS
id=-250µa
vgs(th)
1.5 324.5
1
0.4 1.00.6 1.2
1
1
1
2.5v
2V
3.5v
4V
5V 4.5v-vgs
3V
2.5v
2V
3.5v
4V
4.5v5v
+25°C
1
110
10
0.6
1.2
0.8
1.4
1500-50 100
1
vgs=-3v
vgs=-5v
3.5 4
典型 特性
provisional 公布 一个 - july 1999
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