ZXTN2007Z
半导体
公布 1 - 六月 2005
4
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 CONDITIONS
集电级-根基 损坏 电压 BV
CBO
80 125 V I
C
=100
一个
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CER
80 125 V I
C
=1
一个, RB
1k
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CEO
30 40 V I
C
=10mA*
发射级-根基 损坏 电压 BV
EBO
78.1 VI
E
=100
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
20
0.5
nA
一个
V
CB
=70V
V
CB
=70v, T
amb
=100
C
集电级 截-止 电流 I
CER
R
1k
20
0.5
nA
一个
V
CB
=70V
V
CB
=70v, T
amb
=100
C
发射级 截-止 电流 I
EBO
10 nA V
EB
=6V
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
22
25
40
90
150
35
45
60
115
190
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=0.5a, I
B
=20mA*
I
C
=1a, i
B
=100mA*
I
C
=1a, i
B
=20mA*
I
C
=2a, i
B
=20mA*
I
C
=6.5a, i
B
=300mA*
根基-发射级 饱和 电压 V
是(sat)
1000 1100 mV I
C
=6.5a, I
B
=300mA*
根基-发射级 转变-在 电压 V
是(在)
890 1000 mV I
C
=6.5a, V
CE
=1V*
静态的 向前 电流 转移 比率 h
FE
100
100
100
20
175
200
150
30
300
I
C
=10ma, V
CE
=1V*
I
C
=1a, v
CE
=1V*
I
C
=7a, v
CE
=1V*
I
C
=20a, v
CE
=1V*
转变 频率 f
T
140 MHz I
C
=100ma, V
CE
=10V
f=50MHz
输出 电容 C
OBO
48 pF V
CB
=10v, f=1MHz*
切换 时间 t
在
t
止
37
425
ns I
C
=1a, V
CC
=10v,
I
B1
=-i
B2
=100mA
电的 特性
(在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述)
* 量过的 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度
300
s; 职责 循环
2%.
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