ZXTP2009Z
半导体
公布 1 - 六月 2005
2
参数 标识 VALUE 单位
接合面 至 包围的
(一个)
R
JA
139 °c/w
接合面 至 包围的
(b)
R
JA
83 °c/w
接合面 至 包围的
(c)
R
JA
60 °c/w
接合面 至 包围的
(d)
R
JA
42 °c/w
注释
(一个)
为 一个 设备 表面 挂载 在 15mm x 15mm x 1.6mm FR4 PCB 和 高 coverage 的 单独的 sided 1oz 铜, 在 安静的 空气 情况.
(b) 为 一个 设备 表面 挂载 在 25mm x 25mm x 1.6mm fr4 pcb 和 高 coverage 的 单独的 sided 1oz 铜, 在 安静的 空气 情况.
(c) 为 一个 设备 表面 挂载 在 50mm x 50mm x 1.6mm fr4 pcb 和 高 coverage 的 单独的 sided 1oz 铜, 在 安静的 空气 情况.
(d) 为 一个 设备 表面 挂载 在 25mm x 25mm x 1.6mm fr4 pcb 量过的 在 t
5 secs.
热的 阻抗
参数 标识 限制 单位
集电级-根基 电压 BV
CBO
-50 V
集电级-根基 电压 BV
CBS
-50 V
集电级-发射级 电压 BV
CEO
-40 V
发射级-根基 电压 BV
EBO
-7.5 V
持续的 集电级 电流
(b)
I
C
-5.5
一个
顶峰 脉冲波 电流 I
CM
-15 一个
电源 消耗 在 T
一个
=25°C
(一个)
直线的 减额 因素
P
D
0.9
7.2
W
mw/°c
电源 消耗 在 T
一个
=25°C
(b)
直线的 减额 因素
P
D
1.5
12
W
mw/°c
电源 消耗 在 T
一个
=25°C
(c)
直线的 减额 因素
P
D
2.1
16.8
W
mw/°c
电源 消耗 在 T
一个
=25°C
(d)
直线的 减额 因素
P
D
3
24
W
mw/°c
运行 和 存储 温度 范围 T
j
,t
stg
-55 至 150 °C
绝对 最大 比率
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