ZXTP2014Z
半导体
公布 2 - 8月 2005
2
参数 标识 限制 单位
集电级-根基 电压 BV
CBO
-180 V
集电级-发射级 电压 BV
CEO
-140 V
发射级-根基 电压 BV
EBO
-7 V
持续的 集电级 电流
(一个)
I
C
-3 一个
顶峰 脉冲波 电流 I
CM
-10 一个
电源 消耗 在 T
一个
=25°C
(一个)
直线的 减额 因素
P
D
1.5
12
W
mw/°c
电源 消耗 在 T
一个
=25°C
(b)
直线的 减额 因素
P
D
2.1
16.8
W
mw/°c
运行 和 存储 温度 范围 T
j
,t
stg
-55 至 150 °C
绝对 最大 比率
参数 标识 限制 单位
接合面 至 包围的
(一个)
R
JA
83 °c/w
接合面 至 包围的
(b)
R
JA
60 °c/w
注释:
(一个) 为 一个 设备 表面 挂载 在 25mm x 25mm x 1.6mm fr4 pcb 和 高 coverage 的 单独的 sided 1oz 铜, 在 安静的 空气 情况.
(b) 为 一个 设备 表面 挂载 在 50mm x 50mm x 1.6mm fr4 pcb 和 高 coverage 的 单独的 sided 1oz 铜, 在 安静的 空气 情况.
热的 阻抗