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资料编号:742433
 
资料名称:ZXT13P12DE6TA
 
文件大小: 413.52K
   
说明
 
介绍:
12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
 
 


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公布 1 - 12月 1999
ZXT13P12DE6
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述).
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级-根基 损坏
电压
V
(br)cbo
-20 -33 V I
C
=-100
一个
集电级-发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
-12 -25 V I
C
=-10ma*
发射级-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
-7.5 -8.5 V I
E
=-100
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
-100 nA V
CB
=-16v
发射级 截-止 电流 I
EBO
-100 nA V
EB
=-6v
集电级 发射级 截-止 电流 I
CES
-100 nA V
CES
=-16v
集电级-发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
-7.5
-68
-135
-200
-150
-10
-90
-175
-250
-175
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=-0.1a, I
B
=-10ma*
I
C
=-1a, I
B
=-10ma*
I
C
=-3a, I
B
=-50ma*
I
C
=-4a, I
B
=-50ma*
I
C
=-4a, I
B
=-400ma*
根基-发射级 饱和 电压 V
是(sat)
-1.0 V I
C
=-4a, I
B
=-50ma*
根基-发射级 转变-在 电压 V
是(在)
-0.9 V I
C
=-4a, V
CE
=-2v*
静态的 向前 电流 转移
比率
h
FE
300
300
200
20
500
450
300
30
900
I
C
=-10ma, V
CE
=-2v*
I
C
=-1a, V
CE
=-2v*
I
C
=-4a, V
CE
=-2v*
I
C
=-15a, V
CE
=-2v*
转变 频率 f
T
55 MHz I
C
=-50ma, V
CE
=-10v
f=50MHz
输出 电容 C
obo
115 pF V
CB
=-10v, f=1MHz
转变-在 时间 t
(在)
70 ns V
CC
=-10v, I
C
=-3a
I
B1
=I
B2
=-60ma
转变-止 时间 t
(止)
265 ns
*measured 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度=300
µ
s. 职责 循环
2%
4
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