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资料编号:742468
 
资料名称:ZXT12N20DXTA
 
文件大小: 259.82K
   
说明
 
介绍:
DUAL 20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
公布 1 - march 2000
ZXT12N20DX
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述).
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级-根基 损坏
电压
V
(br)cbo
50 100 V I
C
=100
一个
集电级-发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
20 30 V I
C
=10mA*
发射级-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
7.5 8.5 V I
E
=100
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
100 nA V
CB
=40V
发射级 截-止 电流 I
EBO
100 nA V
EB
=6V
集电级 发射级 截-止 电流 I
CES
100 nA V
CES
=40V
集电级-发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
7.0
65
120
160
10
100
160
200
mV
mV
mV
mV
I
C
=0.1a, I
B
=10mA*
I
C
=1a, I
B
=10mA*
I
C
=3a, I
B
=150mA*
I
C
=3.5a, I
B
=50mA*
根基-发射级 饱和 电压 V
是(sat)
0.9 1.0 V I
C
=3.5a, I
B
=50mA*
根基-发射级 转变-在 电压 V
是(在)
0.85 0.9 V I
C
=3.5a, V
CE
=2V*
静态的 向前 电流 转移
比率
h
FE
250
300
200
40
400
450
320
70
900
I
C
=10ma, V
CE
=2V*
I
C
=1a, V
CE
=2V*
I
C
=3.5a, V
CE
=2V*
I
C
=10a, V
CE
=2V*
转变 频率 f
T
112 MHz I
C
=50ma, V
CE
=10V
f=50MHz
输出 电容 C
obo
43 pF V
CB
=10v, f=1MHz
转变-在 时间 t
(在)
65 ns V
CC
=10v, I
C
=2A
I
B1
=I
B2
=40mA
转变-止 时间 t
(止)
400 ns
*measured 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度=300
µ
s. 职责 循环
2%
4
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