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资料编号:744461
 
资料名称:2SK3116
 
文件大小: 70K
   
说明
 
介绍:
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d13339ej2v0ds
6
2SK3116
单独的 avalanche 电流 vs.
inductive 加载
100
µ
1 m 10 m
100
l - inductive 加载 - h
I
- 单独的 avalanche 电流 - 一个
1.0
10
0.1
10
µ
R
G
= 25
V
DD
= 150 v
V
GS
= 20
0 v
开始 t
ch
= 25
˚
C
E
= 37.5 mj
I
= 7.5 一个
单独的 avalanche 活力
减额 因素
75 150125
开始 t
ch
- 开始 频道 温度 -
˚
C
活力 减额 因素 - %
50 10025
V
DD
= 150 v
R
G
= 25
V
GS
= 20
0 v
I
7.5 一个
0
20
40
60
80
100
120
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