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资料编号:745044
资料名称:
2SK1971
文件大小: 49K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOS FET
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK1971
7
0
反转 流 电流 vs.
源 至 流 电压
50
40
30
20
10
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源 至 流 电压 v (v)
SD
反转 流 电流 i (一个)
DR
脉冲波 测试
v = 10 v
GS
v = 0, –5 v
GS
3
脉冲波 宽度 pw (s)
normalized 瞬时 热的 阻抗
γ
S
(t)
1.0
0.1
0.3
10
µ
0.03
0.01
100
µ
10 m
100 m
1
101 m
normalized 瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
PW
P
DM
d =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
S
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 0.625°c/w, t
C
= 25°c
T
T
C
= 25°c
d = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 shot 脉冲波
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