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资料编号:745124
资料名称:
2SK3177
文件大小: 51K
说明
:
介绍
:
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK3177
3
主要的 特性
40
30
20
10
0
50
100
150
200
100
3
10
1
0.1
0.01
12
10
20
100
20
16
12
8
4
0
12345
0
2
46810
ta = 25 °c
tc = 75°c
25°C
–25°C
频道 消耗 pch (w)
情况 温度 tc (°c)
电源 vs. 温度 减额
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
最大 safe 运作 范围
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
典型 输出 特性
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 电流 i (一个)
D
典型 转移 特性
运作 在
这个 范围 是
限制 用 r
ds(在)
v = 10 v
脉冲波 测试
DS
100 µs
1 ms
pw =10 ms (1shot)
直流 运作 (tc = 25°c)
10 µs
50
40
30
20
10
3.5 v
3 v
v =2.5 v
GS
10 v
脉冲波 测试
6 v
4 v
0.3
0.03
500
30
5
50
200
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