整体的 硅 解决方案, 公司
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1-800-379-4774
5
rev.
B
06/28/01
IS61S6432
ISSI
®
interleaved burst 地址 表格
(模式 = v
CCQ
或者 非 连接)
外部 地址 1st burst 地址 2nd burst 地址 3rd burst 地址
A1 A0 A1 A0 A1 A0 A1 A0
00 01 10 11
01 00 11 10
10 11 00 01
11 10 01 00
绝对 最大 比率
(1,2,3)
标识 参数 值 单位
T
偏差
温度 下面 偏差
–
40 至 +85
°
C
T
STG
存储 温度
–
55 至 +150
°
C
P
D
电源 消耗 1.8 W
I
输出
输出 电流 (每 i/o) 100 毫安
V
在
, v
输出
电压 相关的 至 地 为 i/o 管脚
–
0.5 至 v
CCQ
+ 0.3 V
V
在
电压 相关的 至 地 为 为 地址 和 控制 输入
–
0.5 至 5.5 V
注释:
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是
一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 operational
sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响
可靠性.
2. 这个 设备 包含 circuity 至 保护 这 输入 相反 损坏 预定的 至 高 静态的 电压 或者 electric 地方; 不管怎样,预防措施
将 是 带去 至 避免 应用 的 任何 电压 高等级的 比 最大 评估 电压 至 这个 高-阻抗 电路.
3. 这个 设备 包含 电路系统 那 将 确保 这 输出 设备 是 在 高-z 在 电源 向上.
直线的 burst 地址 表格
(模式 = 地
Q
)
0,0
1,0
0,1a1', a0' = 1,1
运行 范围
范围 包围的 温度 V
CC
商业的 0
°
c 至 +70
°
C 3.3v +10%,
–
5%
工业的
–
40
°
c 至 +85
°
C 3.3v +10%,
–
5%