修订 4.0
km62256c 家族 cmos sram
12月 1997
5
CL
1)
1. 包含 scope 和 jig 电容
测试 情况
(测试 加载 和 测试 输入/输出 涉及)
输入 脉冲波 水平的 : 0.8 至 2.4v
输入 rising 和 falingl 时间 : 5ns
输入 和 输出 涉及 电压 : 1.5v
输出 加载 (看 正确的) :cL=100pF+1TTL
交流 运行 情况
一个c 特性
(vcc=4.5~5.5v, km62256c 家族 : t一个=0 至 70
°
c, km62256ce 家族 : t一个=-25 至 85
°
c,
km62256ci 家族 : t 一个=-40 至 85
°
c)
参数 列表 标识
速 bins
单位
55ns 70ns
最小值 最大值 最小值 最大值
读
读 循环 时间 tRC 55 - 70 - ns
地址 进入 时间 tAA - 55 - 70 ns
碎片 选择 至 输出 tCO - 55 - 70 ns
输出 使能 至 有效的 输出 tOE - 25 - 35 ns
碎片 选择 至 低-z 输出 tLZ 10 - 10 - ns
输出 使能 至 低-z 输出 tOLZ 5 - 5 - ns
碎片 使不能运转 至 高-z 输出 tHZ 0 20 0 30 ns
输出 使不能运转 至 高-z 输出 tOHZ 0 20 0 30 ns
输出 支撑 从 地址 改变 tOH 5 - 5 - ns
写
写 循环 时间 tWC 55 - 70 - ns
碎片 选择 至 终止 的 写 tCW 45 - 60 - ns
地址 设置-向上 时间 t作 0 - 0 - ns
地址 有效的 至 终止 的 写 tAW 45 - 60 - ns
写 脉冲波 宽度 tWP 40 - 50 - ns
写 恢复 时间 tWR 0 - 0 - ns
写 至 输出 高-z tWHZ 0 20 0 25 ns
数据 至 写 时间 overlap tDW 25 - 30 - ns
数据 支撑 从 写 时间 tDH 0 - 0 - ns
终止 写 至 输出 低-z tOW 5 - 5 - ns
数据 保持 特性
Item 标识
测试 情况
最小值
典型值
最大值 单位
vcc 为 数据 保持 VDR CS
≥
vcc-0.2v 2.0 - 5.5 V
数据 保持 电流 IDR
KM62256CL
km62256cl-l
vcc=3.0v
CS
≥
vcc-0.2v
l-ver
ll-ver
-
-
1
0.5
50
10
µ
一个
KM62256CLE
km62256cle-l
l-ver
ll-ver
-
-
-
-
50
25
KM62256CLI
km62256cli-l
l-ver
ll-ver
-
-
-
-
50
25
数据 保持 设置-向上 时间 tSDR
看 数据 保持 波形
0 - -
ms
恢复 时间 tRDR 5 - -
: 点此下载
