表面 挂载 rf 肖特基
屏障 二极管
技术的 数据
hsms-282x 序列
特性
• 低 转变-在 电压
(作 低 作 0.34 v 在 1 毫安)
• 低 合适 (失败 在 时间)
Rate*
• 六-sigma 质量 水平的
• 单独的, 双 和 四方形
版本
• 唯一的 配置 在
表面 挂载 sot-363
包装
– 增加 flexibility
– 保存 板 空间
– 减少 费用
• hsms-282k grounded
中心 leads 提供 向上 至
10 db 高等级的 分开
• matched 二极管 为
consistent 效能
• 更好的 热的 conductivity
为 高等级的 电源 消耗
* 为 更多 信息 看 这
表面 挂载 肖特基 可靠性
数据 薄板.
描述/产品
这些 肖特基 二极管 是
specifically 设计 为 两个都
相似物 和 数字的 产品.
这个 序列 提供 一个 宽 范围 的
规格 和 包装
配置 至 给 这
设计者 宽 flexibility. 典型
产品 的 这些 肖特基
二极管 是 混合, detecting,
切换, 抽样, 夹紧,
和 波 shaping. 这
hsms-282x 序列 的 二极管 是 这
包装 含铅的 代号 identification, sot-23/sot-143
(顶 视图)
一般
CATHODE
#4
UNCONNECTED
一双
#5
一般
ANODE
#3
序列
#2
单独的
#0
12
3
12
34
环绕
四方形
#7
12
34
桥
四方形
#8
12
34
交叉-在
四方形
#9
12
34
12
3
12
3
12
3
包装 含铅的 代号
identification, sot-323
(顶 视图)
包装 含铅的 代号
identification, sot-363
(顶 视图)
一般
CATHODE
F
一般
ANODE
E
序列
C
单独的
B
一般
cathode 四方形
M
UNCONNECTED
TRIO
L
桥
四方形
P
一般
anode 四方形
N
环绕
四方形
R
123
654
高 分开
unconnected 一双
K
123
654
123
654
123
654
123
654
123
654
最好的 所有-周围 选择 为 大多数
产品, featuring 低 序列
阻抗, 低 向前 电压 在
所有 电流 水平 和 好的 rf
特性.
便条 那 agilent’s 制造
技巧 使确信 那 dice 建立
在 pairs 和 quads 是 带去 从
调整 sites 在 这 薄脆饼,
使确信 这 最高的 程度 的
相一致.
2001.04.25, 6:40 pmpage 1
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