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资料编号:758508
 
资料名称:HSMS-2823-TR1
 
文件大小: 209K
   
说明
 
介绍:
Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes
 
 


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典型 效能, t
C
= 25
°
c (除非 否则 指出), 单独的 二极管
图示 1. 向前 电流 vs.
向前 电压 在 温度.
0 0.10 0.20 0.30 0.500.40
I
F
– 向前 电流 (毫安)
V
F
– 向前 电压 (v)
0.01
10
1
0.1
100
T
一个
= +125
ϒ
C
T
一个
= +75
ϒ
C
T
一个
= +25
ϒ
C
T
一个
= –25
ϒ
C
图示 2. 反转 电流 vs.
反转 电压 在 温度.
05 15
I
R
– 反转 电流 (na)
V
R
– 反转 电压 (v)
10
1
1000
100
10
100,000
10,000
T
一个
= +125
ϒ
C
T
一个
= +75
ϒ
C
T
一个
= +25
ϒ
C
图示 3. 总的 电容 vs.
反转 电压.
02 86
C
T
– 电容 (pf)
V
R
– 反转 电压 (v)
4
0
0.6
0.4
0.2
1
0.8
图示 4. 动态 阻抗 vs.
向前 电流.
0.1 1 100
R
D
– 动态 阻抗 (
)
I
F
– 向前 电流 (毫安)
10
1
10
1000
100
V
F
- 向前 电压 (v)
图示 5. 典型 v
f
相一致, 序列 pairs
和 quads 在 mixer 偏差 水平.
30
10
1
0.3
30
10
1
0.3
I
F
- 向前 电流 (毫安)
V
F
- 向前 电压 区别 (mv)
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I
F
(left 规模)
V
F
(正确的 规模)
V
F
- 向前 电压 (v)
图示 6. 典型 v
f
相一致, 序列 pairs
在 探测器 偏差 水平.
100
10
1
1.0
0.1
I
F
- 向前 电流 (
µ
一个)
V
F
- 向前 电压 区别 (mv)
0.10 0.15 0.20 0.25
I
F
(left 规模)
V
F
(正确的 规模)
图示 7. 典型 输出 电压 vs.
输入 电源, 小 信号 探测器
运行 在 850 mhz.
-40 -30
18 nh
rf 在
3.3 nh
100 pf
100 k
hsms-282b
Vo
0
V
O
– 输出 电压 (v)
P
– 输入 电源 (dbm)
-10-20
0.001
0.01
1
0.1
-25
°
C
+25
°
C
+75
°
C
直流 偏差 = 3
µ
一个
图示 8. 典型 输出 电压 vs.
输入 电源, 大 信号 探测器
运行 在 915 mhz.
-20 -10
rf 在
100 pf
4.7 k
68
hsms-282b
Vo
30
V
O
– 输出 电压 (v)
P
– 输入 电源 (dbm)
10 200
1e-005
0.0001
0.001
10
0.1
1
0.01
+25
°
C
local 振荡器 电源 (dbm)
图示 9. 典型 转换 丧失 vs.
l.o. 驱动, 2.0 ghz (ref an997).
转换 丧失 (db)
12
10
9
8
7
6
2068104
2001.04.25, 6:41 pmpage 4
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