iintegrated 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
1-800-379-4774
1
rev. I
04/16/03
IS41C16100
IS41LV16100
ISSI
®
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获得 这 最新的 版本 的 这个 设备 规格 在之前 relying 在 任何 发行 信息 和 在之前 放置 顺序 为 产品.
特性
• ttl 兼容 输入 和 输出; tristate i/o
• refresh 间隔:
— 自动 refresh 模式
: 1,024 循环 /16 ms
—
RAS
-仅有的,
CAS
-在之前-
RAS
(cbr), 和 hidden
— 自 refresh 模式
- 1,024 循环 / 128ms
• 电子元件工业联合会 标准 引脚
• 单独的 电源 供应:
— 5v ± 10% (is41c16100)
— 3.3v ± 10% (is41lv16100)
• 字节 写 和 字节 读 运作 通过 二
CAS
• industrail 温度 范围 -40
o
c 至 85
o
C
描述
这
ISSI
is41c16100 和 is41lv16100 是 1,048,576 x 16-位
高-效能 cmos 动态 随机的 进入 memories.
这些 设备 提供 一个 accelerated 循环 进入 called edo 页
模式. edo 页 模式 准许 1,024 随机的 accesses 在里面 一个
单独的 行 和 进入 循环 时间 作 短的 作 20 ns 每 16-位 文字.
这 字节 写 控制, 的 upper 和 更小的 字节, 制造 这
is41c16100 完美的 为 使用 在 16-位 和 32-位 宽 数据 总线 系统.
这些 特性 制造 这 is41c16100and is41lv16100 ideallysuited
为 高-带宽 graphics, 数字的 信号 处理,高-
效能 computing 系统, 和 附带的 产品.
这 is41c16100 和 is41lv16100 是 packaged 在 一个 42-管脚400-
mil soj 和 400-mil 50- (44-) 管脚 tsop (类型 ii). 这 lead-free 400-
mil 50- (44-) 选项 是 有 too.
1m x 16 (16-mbit) 动态 内存
和 edo 页 模式
关键 定时 参数
参数 -50 -60 单位
最大值
RAS
进入 时间 (t
RAC
) 5060ns
最大值
CAS
进入 时间 (t
CAC
) 1315ns
最大值 column 地址 进入 时间 (t
AA
)2530ns
最小值 edo 页 模式 循环 时间 (t
PC
) 2025ns
最小值 读/写 循环 时间 (t
RC
) 84 104 ns
管脚 配置
50(44)-管脚 tsop (类型 ii) 42-管脚 soj
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NC
我们
RAS
NC
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地
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NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
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地
管脚 描述
a0-a9 地址 输入
i/o0-15 数据 输入/输出
我们
写 使能
OE
输出 使能
RAS
行 地址 strobe
UCAS
upper column 地址 strobe
LCAS
更小的 column 地址 strobe
Vcc 电源
地 地面
NC 非 连接
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