km44c1000d, km44v1000d cmos dram
电容
(t一个=25
°
c, vCC=5v 或者 3.3v, f=1mhz)
参数 标识 最小值 最大值 单位
输入 电容 [a0 ~ a9] CIN1 - 5 pF
输入 电容 [RAS,CAS,W,OE] CIN2 - 7 pF
输出 电容 [dq0 - dq3] CDQ - 7 pF
测试 情况 (5v 设备) : vCC=5.0v
±
10%, vih/vil=2.4/0.8v, voh/vol=2.4/0.4v
便条) *1 : 5v 仅有的
参数 标识
-5
*1
-6 7
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
随机的 读 或者 写 循环 时间
tRC
90 110 130 ns
读-modify-写 循环 时间
tRWC
132 152 177 ns
进入 时间 从RAS
tRAC
50 60 70 ns 3,4,10
进入 时间 从CAS
tCAC
15 15 20 ns 3,4,5
进入 时间 从 column 地址
tAA
25 30 35 ns 3,10
CAS至 输出 在 低-z
tCLZ
0 0 0 ns 3
输出 缓存区 转变-止 延迟
t止
0 12 0 12 0 17 ns 6
转变 时间 (上升 和 下降)
tT
3 50 3 50 3 50 ns 2
RASprecharge 时间
tRP
30 40 50 ns
RAS脉冲波 宽度
tRAS
50 10K 60 10K 70 10K ns
RAS支撑 时间
tRSH
15 15 20 ns
CAS支撑 时间
tCSH
50 60 70 ns
CAS脉冲波 宽度
tCAS
15 10K 15 10K 20 10K ns
RAS至CAS延迟 时间
tRCD
20 35 20 45 20 50 ns 4
RAS至 column 地址 延迟 时间
tRAD
15 25 15 30 15 35 ns 10
CAS至RASprecharge 时间
tCRP
5 5 5 ns
行 地址 设置-向上 时间
tASR
0 0 0 ns
行 地址 支撑 时间
tRAH
10 10 10 ns
column 地址 设置-向上 时间
tASC
0 0 0 ns
column 地址 支撑 时间
tCAH
10 10 15 ns
column 地址 至RAS含铅的 时间
tRAL
25 30 35 ns
读 command 设置-向上 时间
tRCS
0 0 0 ns
读 command 支撑 时间 关联 至CAS
tRCH
0 0 0 ns 8
读 command 支撑 时间 关联 至RAS
tRRH
0 0 0 ns
写 command 支撑 时间
tWCH
10 10 15 ns
写 command 脉冲波 宽度
tWP
10 10 15 ns
写 command 至RAS含铅的 时间
tRWL
15 15 15 ns
写 command 至CAS含铅的 时间
tCWL
13 15 15 ns
交流 特性
(0
°
C
≤
T
≤
70
°
c, 看 便条 1,2)
测试 情况 (3.3v 设备) : vCC=3.3v
±
0.3v, vih/vil=2.2/0.7v, voh/vol=2.0/0.8v
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