绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 6.0 V
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
输入 电压 −0.3v 至 V
DD
+ 0.3v
电源 消耗 (便条 3) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 4) 2000V
管脚 5 1500V
接合面 温度 150˚C
焊接 信息
小 外形 包装
Vapor 阶段 (60 秒) 215˚C
Infrared (15 秒) 220˚C
看 一个-450
″
表面 挂载 和 它们的 影响 在
产品 可靠性
″
为 其它 方法 的 焊接 表面
挂载 设备.
热的 阻抗
θ
JC
(msop) 56˚c/w
θ
JA
(msop) 210˚c/w
θ
JC
(sop) 35˚c/w
θ
JA
(sop) 170˚c/w
运行 比率
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 2.4v
≤
V
DD
≤
5.5v
电的 特性
(注释 1, 2)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 5V 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4882
单位
(限制)
典型
(便条 5)
限制
(便条 6)
I
DD
安静的 电流 V
在
= 0v, I
O
= 0A 2 4.0 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
pin1
=V
DD
0.5 5 µA (最大值)
V
OS
补偿 电压 V
在
= 0V 5 50 mV (最大值)
P
O
输出 电源 THD+N=1
%
(最大值);f=1khz;
R
L
=4
Ω
380 mW
R
L
=8
Ω
270 250 mW (最小值)
R
L
=32
Ω
95 mW
THD+N=10
%
;f=1khz
R
L
=4
Ω
480 mW
R
L
=8
Ω
325 mW
R
L
=32
Ω
125 mW
THD + N 总的 调和的 扭曲量 + 噪音 R
L
=8
Ω
,p
O
= 250 mwrms; 0.5
%
R
L
=32
Ω
,p
O
= 85 mwrms; 0.1
%
f=1kHz
PSRR 电源 供应 拒绝 比率 V
pin3
= 2.5v, V
波纹
= 200 mvrms,
f = 120 Hz
50 dB
电的 特性
(注释 1, 2)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 3V 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4882
单位
(限制)
典型
(便条 5)
限制
(便条 6)
I
DD
安静的 电流 V
在
= 0v, I
O
= 0A 1.2 毫安
I
SD
关闭 电流 V
pin1
=V
DD
0.3 µA
V
OS
补偿 电压 V
在
=0V 5 mV
P
O
输出 电源 THD+N=1
%
(最大值);f=1khz
R
L
=8
Ω
80 mW
R
L
=32
Ω
30 mW
THD+N=10
%
;f=1khz
R
L
=8
Ω
105 mW
R
L
=32
Ω
40 mW
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